Найдено научных статей и публикаций: 1, для научной тематики: Катод
1.
Кислицын А.П., Таран А.А., Планковский С.И., Несмелов Д.Д.
, 2013
Установлено, что композиционные материалы термоэлектронных эмиттеров на основе гафната бария с вольфрамом являются полупроводниковыми материалами донорного типа.
Энергетическая структура электронных состояний для всех исследуемых материалов на основе гафната бария оказалась единой со следующими пара...
Установлено, что композиционные материалы термоэлектронных эмиттеров на основе гафната бария с вольфрамом являются полупроводниковыми материалами донорного типа.
Энергетическая структура электронных состояний для всех исследуемых материалов на основе гафната бария оказалась единой со следующими параметрами: = 0,86 эВ; Ed = 1,9 эВ при Т > 1100 К.
Равновесная концентрация адсорбированного бария на эмитирующей поверхности (концентрация донорных уровней) исследованных образцов различна, существенным образом зависит от рабочей температуры и содержания вольфрама в образцах, и определяется соотношением скоростей процессов диффузионной доставки бария к поверхности и десорбции его с поверхности.
Вольфрам, обладая высокой восстанавливающей способностью бария из оксидов, обеспечивает наиболее высокую скорость его генерации в тех случаях, когда имеет место максимальная площадь контакта между зернами вольфрама и BaHfO3, что наблюдается в образцах состава 63 мас. % BaHfO3 – 37 мас. % W.