Установлено, что композиционные материалы термоэлектронных эмиттеров на основе гафната бария с вольфрамом являются полупроводниковыми материалами донорного типа. Энергетическая структура электронных состояний для всех исследуемых материалов на основе гафната бария оказалась единой со следующими параметрами:  = 0,86 эВ; Ed = 1,9 эВ при Т > 1100 К. Равновесная концентрация адсорбированного бария на эмитирующей поверхности (концентрация донорных уровней) исследованных образцов различна, существенным образом зависит от рабочей температуры и содержания вольфрама в образцах, и определяется соотношением скоростей процессов диффузионной доставки бария к поверхности и десорбции его с поверхности. Вольфрам, обладая высокой восстанавливающей способностью бария из оксидов, обеспечивает наиболее высокую скорость его генерации в тех случаях, когда имеет место максимальная площадь контакта между зернами вольфрама и BaHfO3, что наблюдается в образцах состава 63 мас. % BaHfO3 – 37 мас. % W.