Рассмотрены электрофизические процессы в реальных контактах металл – полупроводник, в приконтакной полупроводниковой области которых возникает дополнительное электрическое поле контактной разности потенциалов (поле пятен) как между микроучастками с различными высотами потенциальных барьеров на контактной поверхности, так и между контактной поверхностью и примыкающими к ней свободными поверхностями металла и полупроводника. Разработаны энергетические модели реальных контактов металл-полупроводник и механизмы токопрохождения на основе теории термоэлетронной эмиссии. Представлены особенности определения электрофизических параметров периферийной области контактной поверхности и измерения действующих электрофизических параметров реальных контактов металл-полупроводник. Для научных работников, специализирующихся в области полупроводников, полупроводниковых приборов и микроэлектроники.