Найдено научных статей и публикаций: 1, для научной тематики: Рассогласование параметров
1.
П.В. Середин, Домашевская Э.П, Гордиенко Н.Н, Глотов А.В., Журбина И.А., И.Н Арсентьев, М.В, Шишков
- Вестник Воронежского государственного университета , 2009
В структурах с буферным пористым слоем остаточные внутренние напряжения, вызванные рассогласо-
ванием параметров кристаллических решеток эпитаксиального твердого раствора GaInP и подложки GaAs,
перераспределяются в пористый слой, который играет роль буфера и способствует исчезновению внутренних
напр...
В структурах с буферным пористым слоем остаточные внутренние напряжения, вызванные рассогласо-
ванием параметров кристаллических решеток эпитаксиального твердого раствора GaInP и подложки GaAs,
перераспределяются в пористый слой, который играет роль буфера и способствует исчезновению внутренних
напряжений. Аналогичные воздействия на внутренние напряжения в структуре пленка–подложка оказывает
легирование эпитаксиального слоя диспрозием.
Вестник ВГУ, Серия: Физика, Математика. – 2008. – №1. – стр 88-92.
