На основе диффузионного приближения разработана модель низкоэнергетического ионного напыления тонких пленок. Разработана численная схема для решения данной системы. Показан алгоритм, позволяющий проводить анализ системы посредством компьютерного эксперимента. Полученная модель позволяет исследовать эволюцию концентрационного профиля осаждаемой пленки. // The model of low energy ion deposition of thin films, based on the diffusion approximation, was developed. A numerical scheme for solving this system was designed. An algorithm which allows analyzing the system by computer experiment is shown. The resulting model allows investigating the evolution of the concentration profile of the deposited films.