Разработана воспроизводимая технология выращивания вискеров таких полупроводников как: Si, Ge, GaAs, InAs и InSb методом химических транспортных реакций в галогенидной системе. Показано, что воспроизводимых результатов можно достичь только поэтапной технологией. Ее основными элементами являются: (і) формирование кластеров нанопроволок в кинетическом режиме по механизму “пар - жидкость - кристалл”; (іі) создание технологических условий для конкурирующего роста нанопроволок путем оствальдового созревания; (ііі) эпитаксиальное наращивание нанопроволок до размеров вискеров в диффузионном режиме. Предложена модель, обосновывающая необходимость поэтапного технологического режима получения вискеров. // Renewable technology of whiskers of such semiconductors as Si, Ge, GaAs, InAs and InSb with chemical transport reactions technique at halogenide system is developed. The model, which grounds a necessity of step-by-step technological regime of whiskers formation, is proposed.