Получен образец нанокомпозита на основе опала и введенного в его поры NaCl. Для этого опал пропитывался насыщенным раствором NaCl при комнатной температуре. Теплопроводность нанокомпозита измерена в интервале температур 4.2-300 K. Эффективная теплопроводность нанокомпозита оказалась равной теплопроводности чистого опала. Обнаруженный эффект можно объяснить тем, что NaCl располагается в порах опала в виде не соприкасающихся между собой игл, и, таким образом, тепловой поток по нему отсутствует.
Арутюнян Л.И., Богомолов В.Н., Картенко Н.Ф., Курдюков Д.А., Парфеньева Л.С., Смирнов И.А., Шаренкова Н.В., Ежовский А., Муха Я., Мисерек Х. Необычное поведение теплопроводности нанокомпозита. Кристаллический NaCl в опале // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 2, Стр. 379

Исследованы химическая и энергетическая структуры пленки высоко-фторированного фуллерена. Проведеный анализ сложной структуры 1s спектров углерода показал наличие фрагментов C--F, C--F2, а, также присутствие некоторого числа нефторированных атомов углерода при подавляющем количестве связей C--F. Оценена ширина запрещенной зоны полученного фторфуллерена и его пленки, равная 8.0 eV, а также отмечено наличие энергетической потери на межзонный переход при 11 eV. Сопоставление спектров валентных зон исследованных образцов позволило сделать вывод о разделении валентной зоны фторфуллеренов на анионную и катионную части (подобно щелочно-галоидным кристаллам) и предположить наличие у фторфуллеренов соответствующих свойств, позволяющих найти новым материалам широкое практическое применение.
Шахмин А.Л., Мурашов С.В., Баранов Н.В., Ходорковский М.А. Исследование пленок фторированного фуллерена методами электронной спектроскопии // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 1, Стр. 168

Исследованы электрофизические свойства порошкообразных образцов графита и фуллерена C60 в вакууме, в атмосфере кислорода и на воздухе. При комнатной температуре проводимость образцов имеет перколяционный характер. При повышении температуры наблюдается рост сопротивления образцов, обусловленный десорбцией кислорода из объема. В температурных зависимостях сопротивления образцов мелкодисперсных порошков C60 и графита в области T=310-340 K обнаружена особенность в виде пика, не наблюдавшаяся ранее. Установлена роль атомов кислорода в процессе переноса заряда в порошкообразных образцах графита и фуллерена C60, обусловленная их электрической активностью на поверхности гранул, отличающихся размером.
Мастеров В.Ф., Приходько А.В., Немчук Н.И., Шакланов А.А., Коньков О.И. Влияние кислорода на электрофизические свойства некоторых аллотропных форм углерода // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 9, Стр. 1703

Предсказан спектр параэлектрического резонанса нецентральных примесных ионов, находящихся во внутрикристаллических электрических полях икосаэдрической симметрии. Рассмотрен многоямный потенциал, соответствующий смещению ионов из центра симметрии в сторону вершин икосаэдра, граней додекаэдра и пентагональных граней фуллерена. Получен эффективный гамильтониан эндоэдральных комплесков во внешних электрических полях произвольной ориентации, найдены его собственные значения и рассчитаны интенсивности линий различных переходов между туннельными уровнями.
Ройцин А.Б., Артамонов Л.В., Климов А.А. Параэлектрический резонанс центров икосаэдрической симметрии // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 9, Стр. 1693

Представлены результаты систематического исследования процесса структурного фазового перехода алмаз--графит в кластерах ультрадисперсного алмаза (УДА), полученного методом детонационного синтеза. Исследовались образцы двух типов, различающихся кинетикой охлаждения продукта детонации. Фазовый переход осуществлялся при нагреве в инертной атмосфере в интервале температур 720--1400 K. Для идентификации перехода применялись методики комбинационного рассеяния света (КРС), рентгеновской спектроскопии. Анализ спектров КРС и рентгеновских дифрактограмм показал, что УДА вне зависимости от кинетики охлаждения представляет собой кластерный материал, обладающий кристаллической структурой алмаза с характерным размером нанокристаллов 43 Angstrem. Показано, что структурный фазовый переход алмаз--графит в УДА начинается с поверхности кластера при Tpt~ 1200 K, т. е. при существенно более низких температурах, чем в объемных монокристаллах алмаза.
Алексенский А.Е., Байдакова М.В., Вуль А.Я., Давыдов В.Ю., Певцова Ю.А. Фазовый переход алмаз--графит в кластерах ультрадисперсного алмаза // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 6, Стр. 1125

Методом рекурсий выполнен расчет плотности электронных состояний n(E) углерода в алмазе, графите, фуллерене C60 и графитовых нанотрубках различной структуры и диаметра. Расчетные зависимости n(E) для алмаза, графита и фуллерена сравниваются с экспериментальными данными. Обсуждаются особенности в распределении плотности электронных состояний n(E) в графитовых нанотрубках.
Дунаевский С.М., Розова М.Н., Кленкова Н.А. Электронная структура графитовых нанотрубок // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 6, Стр. 1118

Предлагается простой метод определения пористости фрактальных материалов, основанный на измерении поглощения рентгеновских лучей при их прохождении через исследуемые образцы. Метод позволяет проводить экспрессные измерения интегральной пористости объектов, не требует специальной подготовки объектов, не загрязняет и не разрушает их структуру. На примере синтетических опалов и пористого кремния продемонстрированы возможности метода.
Ратников В.В. Определение пористости синтетических опалов и пористого кремния рентгеновским методом // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 5, Стр. 956