Измерены чувствительность и пространственное резрешение фототермического резиста на основе двухслойной пленки металлического индия и полимера. Прямым лазерным воздействием изготовлены двумерные маски, через которые созданы наноразмерные металлические и диэлектрические островки на подложке кремния. Найдены условия получения субмикронных периодических структур на пленках TiO2, нанесенных на стеклянную подложку по золь-гель технологии. Измерены их некоторые оптические характеристики, отмечается возможность использования таких решеток для возбуждения планарных электромагнитных волн.
Бредихин В.И., Буренина В.Н., Веревкин Ю.К., Кирсанов А.В., Петряков В.Н., Востоков Н.В., Дряхлушин В.Ф., Климов А.Ю. Наноразмерная интерференционная литография с импульсным УФ лазером // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 9, Стр. 86

Исследовано влияние селективного жидкостного химического травления излучающей поверхности полупроводниковых лазеров на основе InGaP/GaAs с квантовыми ямами InGaAs на диаграмму направленности их излучения в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу. Методом атомно-силовой микроскопии установлено, что за счет разной скорости травления материалов широкозонных слоев (InGaP) и активной области лазеров (GaAs, InGaAs) на излучающей поверхности происходит самоформирование цилиндрической линзы (собирающей или рассеивающей в зависимости от вида травителя). Показано, что, подбирая соответствующее время травления, возможно изменять ширину диаграммы направленности лазера в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, в пределах 57-82o при исходной ширине диаграммы направленности на уровне 1/2 максимума, равной 66o.
Мишкин В.П., Филатов Д.О., Некоркин С.М., Кутергина Ю.В. Влияние селективного химического травления на диаграмму направленности излучения полупроводникового лазера // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 7, Стр. 78

Исследован эффект просветления слоя жидкости коротким лазерным импульсом длительностью порядка микросекунды. В главном приближении предполагается линейная зависимость индексов преломления и поглощения от плотности жидкости. Установлены параметры подобия, изучены характеристики канала просветления при изменении параметра тепловыделения и числа Эйлера, дана интерпретация в физических переменных.
Кучеров А.Н. Канал просветления в слое жидкости при распространении лазерного импульса // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 7, Стр. 70

На основе компьютерного моделирования продемонстрировано существование нового механизма движения доменов высокого поглощения при воздействии гауссовых пучков и отсутствии диффузии характеристик среды вдоль направления распространения оптического излучения. Его суть заключается в зависимости скоростей роста коэффициента поглощения от световой интенсивности. В результате этого область высокого поглощения может перемещаться из области высокой интенсивности в менее освещенную часть среды.
Трофимов В.А., Трощиев Ю.В. Бездиффузионный механизм движения доменов высокого поглощения вдоль оси распространения лазерного излучения // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 6, Стр. 83

Решением уравнений диффузии с учетом полимеризации теоретически рассмотрена динамика записи дифракционной решетки в фотополимерной пленке в присутствии жидкого кристалла. Модель объясняет время запаздывания (мертвая зона) записи решетки присутствием в материале кислородных или других примесных молекул, которые препятствуют созданию свободных радикалов. Рассчитана зависимость длительности мертвой зоны от интенсивности записывающего излучения.
Акопян Р.С., Галстян А.В., Галстян Т.В. Теоретическое моделирование мертвой зоны при записи голограмм в фотополимеризуемых материалах // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 6, Стр. 70

Предложено простое устройство для сканирования и запоминания изображения на основе слоистой полупроводниковой структуры. Считывание при сканировании и запоминании производится лазерным лучом. Видеосигналом при считывании является фотоэдс, генерируемая структурой. Приведены простые эксперименты, демонстрирующие работоспособность предлагаемой структуры как видикона и запоминающего устройства, способного сохранять информацию по крайней мере 2 h. Приведена физическая интерпретация наблюдаемых эффектов.
Козлов Г.Г., Долгих Ю.К., Ефимов Ю.П., Елисеев С.А., Овсянкин В.В., Петров В.В. Оптический видикон на основе слоистой полупроводниковой структуры: считывание и запоминание изображения // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 6, Стр. 65

Численными методами проведено исследование влияния случайных флуктуаций частоты, обусловленных спонтанным излучением и генерационно-реком бинационным шумом носителей заряда на форму спектральной линии полупроводникового лазера (ПЛ) в режиме псевдослучайной модуляции тока накачки. Выделена роль спонтанного излучения и внутриимпульсной частотной модуляции в формировании спектра ПЛ. Проведен анализ влияния параметров и способа модуляции на выходные спектральные характеристики лазера.
Морозов Ю.А. Анализ влияния спонтанных флуктуаций частоты на форму линии излучения полупроводникового лазера при псевдослучайной модуляции тока накачки // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 5, Стр. 83

Учет гиромагнитных свойств многослойных двухкомпонентных структур, одна или обе компоненты которой состоят из магнитоактивного материала, показал, что приложение магнитного поля к таким структурам приводит к появлению у них магнитоуправляемых оптических свойств. Влияние магнитного поля на спектральную резонансную кривую коэффициента пропускания многослойных структур с фазовым сдвигом (\glqq дефектом\grqq) проявляется в изменении (увеличении или уменьшении) ее ширины. Использование магнитного поля, прикладываемого к многослойной структуре в поперечной и продольной геометриях, имеет свои существенные особенности. Выполненные расчеты показали возможность практического применения исследуемых эффектов, например, в волоконной оптике.
Макаров Д.Г., Данилов В.В., Коваленко В.Ф. Многослойные структуры с управляемым магнитным полем пропусканием света // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 5, Стр. 77

На основе компьютерного моделирования продемонстрирована возможность накачки одномерного нелинейного фотонного кристалла (слоистой одномерной периодической структуры) световой энергией (ее локализации внутри фотонного) кристалла при воздействии последовательности фемтосекундных импульсов. Моделирование проводится на основе предложенного авторами подхода к рассматриваемому классу задач. Данный эффект может быть использован для хранения и записи информации в трехмерных оптических устройствах памяти.
Трофимов В.А., Терешин Е.Б., Федотов М.В. Локализация световой энергии последовательности фемтосекундных импульсов в одномерном нелинейном фотонном кристалле // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 5, Стр. 66

Исследованы характеристики малогабаритной ультрафиолетовой (УФ) лампы низкого давления, излучающей на резонансной линии атома иода (206 nm), иодиде ксенона (253 nm) и димерах иода (342 nm). Накачка лампы проводилась продольным тлеющим разрядом постоянного тока при межэлектродном расстоянии 19 cm. Рабочей средой излучателя служили газовые смеси He/J2 и He/Xe/J2 при общем давлении 50-1500 Pa. Приводятся результаты оптимизации электроразрядкой эксимерно-галогенной лампы в зависимости от давления и состава газовых смесей, а также мощности, вкладываемой в разрядную плазму. Показано, что суммарная мощность УФ излучения в спектральном диапазоне 200-350 nm со всей рабочей апертуры лампы достигает 5-7 W при КПД =<q5%.
Шуаибов А.К., Грабовая И.А. Электроразрядный ультрафиолетовый эксимерно-галогенный излучатель на смеси гелия и ксенона с парами иода // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 4, Стр. 66