Методами рамановского рассеяния, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и фотолюминисценции изучалось формирование нанокристаллов кремния в слоях SiO2, имплантированных ионамиSi. Обнаружено, что при концентрациях избыточного кремния 3-14 ат% кластерыSi образуются сразу после имплантац...
Методами рамановского рассеяния, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и фотолюминисценции изучалось формирование нанокристаллов кремния в слоях SiO2, имплантированных ионамиSi. Обнаружено, что при концентрациях избыточного кремния 3-14 ат% кластерыSi образуются сразу после имплантации. Сростом температуры последующего отжига сегрегацияSi с формированием связей Si--Si4 усиливается, но рассеяние кластерами ослабевает. Эффект объяснен трансформацией рыхлых кластеров в компактные фазовые наноразмерные выделенияSi, причем обнаруженный рамановский пик 490 см-1 связан споверхностным рассеянием. СегрегацияSi завершалась к 1000oC, однако типичная для нанокристаллов фотолюминесценция появлялась лишь после отжига 1100oC. При этом возникало присущее нанокристаллам рассеяние в области 495-520 см-1, но сохранялся и \glqq поверхностный\grqq пик 490 см-1. Считается, что нанокристаллы состоят из ядра и поверхностного слоя, который ответствен за повышенную температуру их кристаллизации.
Качурин Г.А., Яновская С.Г., Володин В.А., Кеслер В.Г., Лейер А.Ф., Ruault M.-O. О формировании нанокристаллов кремния приотжиге слоевSiO2, имплантированных ионамиSi // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 685
