Изучается комплекс эффектов в МОП структурах металл/туннельно-тонкий SiO2/p+-Si, связанных с туннелированием электронов из валентной зоны объема Si в металл через два последовательно расположенных туннельно-прозрачных барьера: барьер обедненной области пространственного заряда Si и барьер SiO2 с возможным промежуточным участием квантовой ямы, образованной зоной проводимостиSi. Врамках простой модели, учитывающей данный механизм токопереноса, рассчитаны вольт-амперные характеристики структур для режима чистого обеднения, т. е. в пренебрежении зарядом инверсионного слоя. Обсуждена связь параметров структуры--- уровня легирования p-Si, толщины окисла--- с относительной ролью токов нерезонансного и резонансного (через размерно-квантованные уровни в зоне проводимостиSi) туннелирования в балансе токов в МОП структуре. Сформулированы условия, наиболее благоприятные для наблюдения резонансных эффектов.
Карева Г.Г., Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф. Туннелирование электронов через двойной барьер вструктуре металл--окисел--кремний при обратном смещении // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 953

Проведены измерения изменений спектров флуоресценции адсорбированных на поверхности германия молекул красителя (родаминаB), атакже изменений параметров комбинационного и диффузного рассеяния света при упругом и упруго-пластическом действии на полупроводник импульсного лазерного луча. Амплитуда пороговых деформаций~ 5· 10-5 оценена из бесконтактных фотоакустических измерений поверхностных деформаций при помощи спектроскопии отклонения лазерных лучей. Вобласти плотности энергий, соответствующих переходу к неупругим деформациям, наблюдалось значительное тушение флуоресценции адсорбированных молекул--- зондов, резкое уширение молекулярных спектров свечения, а также надпороговый рост интенсивности диффузно рассеянного света. Сростом деформаций полупроводника, инициированных импульсным лазерным лучом, уменьшались частотный сдвиг и ширина линий комбинационного рассеяния света, а также росла их интенсивность. Обсуждается природа эффектов.
Винценц С.В., Зайцев В.Б., Зотеев А.В., Плотников Г.С., Родионов А.И., Червяков А.В. Низкопороговое дефектообразование имодификация поверхностных слоев германия приупругих иупруго-пластических воздействиях импульсного лазерного луча // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 947

Методами оже-спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована структура GaSe--SiO2 до и после облучения электронами с энергией4.0 МэВ и дозой облучения 3.0·1015 см-2. Показано, что после облучения толщина переходного слоя структуры уменьшается, а окисная пленка становится более однородной. Объяснением одной из причин таких изменений может служить радиационно-стимулированное геттерирование атомов галлия к границе раздела структуры, играющей роль стока.
Ибрагимов Т.Д., Джафарова Э.А., Сафаров З.Б. Исследование влияния электронного облучения наструктуру GaSe--SiO2 спектроскопическими методами // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 858

Исследовано поведение заряда в скрытом окисле структур кремний-на-изоляторе, полученых по технологии Dele-Cut, методом выдержки под напряжением при напряженности электрического поля 2--5.5 МВ/см. Обнаружено присутствие в окисле подвижного положительного заряда, перемещающегося под действием приложенного напряжения. Ожидаемого накопления заряда в окисле не обнаружено. Оба наблюдаемых эффекта, по нашему предположению, обусловлены взаимодействием остаточного водорода, присутствующего в окисле в процессе изготовления структур, с ловушками в термически выращенном окисле. Врезультате в скрытом диэлектрике структуры происходит пассивация ловушек и вводится подвижный при комнатной температуре заряд.
Николаев Д.В., Антонова И.В., Наумова О.В., Попов В.П., Смагулова С.А. Поведение заряда вскрытом диэлектрике структур кремний-на-изоляторе вэлектрических полях // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 853

Теоретически проанализирован магнитодиодный эффект в плоской p-i-n-диодной структуре, сопровождаемый междолинным перераспределением электронов около ее холловских поверхностей, на которых происходит рекомбинация неравновесных носителей заряда. Показано, что учет суперпозиции поперечных потоков носителей заряда, обусловленных силой Лоренца, с одной стороны, и междолинным перераспределением, с другой, позволяет объяснить такие наблюдаемые в экспериментах при азотных и гелиевых температурах особенности вольт-амперных характеристик Ge- иSi-p-i-n-структур как: 1)сублинейные вольт-амперные характеристики, имеющие место при низких температурах как в отсутствие, так и при наличии магнитного поля; 2)появление высокой полярной магниточувствительности при больших электрических полях (при комнатных температурах полярная магниточувствительность при переходе от слабых электрических полей к сильным пропадает).
Абрамов А.А., Горбатый И.Н. Особенности магнитодиодного эффекта вмногодолинных полупроводниках принизких температурах // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 847

Сообщается о результатах исследования электрических свойств и процессов формирования гетеропереходов на охлажденной до отрицательных температур подложке из кристаллического кремния. Приводятся данные технологических, электронографических и электрических исследований. Выявлен эффект переключения проводимости в гетеропереходах на основе двухфазных пленок сульфида кадмия и определены режимы формирования аморфных и аморфных с кристаллическими включениями пленокCdS. Показано соответствие результатов солитонной модели.
Беляев А.П., Рубец В.П. Эффект переключения в гетеропереходах Si--CdS, синтезированных врезко неравновесных условиях // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 843

При помощи анализа экспериментальных спектров фотоотражения образцов Ga2Se3/n-GaAs, изготовленных при длительном отжиге подложек GaAs (концентрация электронов n~ 1017 см-3) в парах Se, установлен эффект отсутствия фотонапряжения в области границы раздела. Фотогенерация неравновесных носителей заряда вподложке приводит не к изменению положения уровня Ферми в области границы раздела, а только к модуляции глубины области пространственного заряда вGaAs. Данные количественного анализа экспериментальных спектров также показывают, что образование толстого (~ 1 мкм) слоя Ga2Se3 не приводит к ожидаемому эффекту изменения положения уровня Ферми по сравнению с естественно окисленной поверхностью.
Кузьменко Р.В., Домашевская Э.П. E0-спектры фотоотражения полупроводниковых структур свысокой плотностью состояний вобласти границы раздела // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 838

В структурах металл--диэлектрик--полупроводник стонким диэлектриком нужно учитывать влияние тока через диэлектрик на заряд поверхностных состояний. Захват носителей тока на поверхностные состояния подавляет их термоэмиссию споверхностных состояний. Этот процесс замедляет увеличение заряда поверхностных состояний при увеличении (по абсолютной величине) потенциала поверхности. Определение плотности поверхностных состояний методом высокочастотной емкости дает заниженное (впределе--- нулевое) значение плотности поверхностных состояний. Аномальная зависимость плотности поверхностных состояний от потенциала поверхности может быть индикатором равномерного по площади тока через диэлектрик.
Берман Л.С. Моделирование энергетического спектра поверхностных состояний структур металл--диэлектрик--полупроводник сучетом тока через диэлектрик // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 697

Проанализировано влияние высоты барьера Шоттки, энергетического положения глубоких уровней, концентраций глубоких и мелких дефектов, температуры и прикладываемых к образцу напряжений на вид выражения, определяющего концентрацию глубоких центров в диодах Шоттки с высоким барьером при измерениях методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней. На основе результатов анализа предложена методика определения концентрации глубоких центров, подходящая как для \glqq нормальных\grqq, так и для \glqq аномальных\grqq уровней.
Агафонов Е.Н., Георгобиани А.Н., Лепнев Л.С. Определение концентрации глубоких центров вдиодах Шоттки свысоким барьером принестационарной спектроскопии глубоких уровней // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 693

Модифицированная модель Людеке, предполагающая, что за формирование барьера Шоттки ответственны дефектные состояния на границе, применена к расчету высоты барьеров Phinb в системах Ag, Au / 3C-, 6H-SiC. Получено отличное согласие с данными эксперимента. Расчет показал также, что концентрация кремниевых вакансий, которые и определяют величину Phinb, слабо зависит от природы металлического компонента контакта.
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В., Таиров Ю.М. Роль вакансий кремния вформировании барьеров Шоттки наконтактах Ag иAu с3C- и6H-SiC // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 690