Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 212, для научной тематики: Границы раздела иповерхность

201.

Туннелирование электронов через двойной барьер вструктуре металл--окисел--кремний при обратном смещении     

Карева Г.Г., Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Изучается комплекс эффектов в МОП структурах металл/туннельно-тонкий SiO2/p+-Si, связанных с туннелированием электронов из валентной зоны объема Si в металл через два последовательно расположенных туннельно-прозрачных барьера: барьер обедненной области пространственного заряда Si и барьер SiO2 с ...
202.

Низкопороговое дефектообразование имодификация поверхностных слоев германия приупругих иупруго-пластических воздействиях импульсного лазерного луча     

Винценц С.В., Зайцев В.Б., Зотеев А.В., Плотников Г.С., Родионов А.И., Червяков А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Проведены измерения изменений спектров флуоресценции адсорбированных на поверхности германия молекул красителя (родаминаB), атакже изменений параметров комбинационного и диффузного рассеяния света при упругом и упруго-пластическом действии на полупроводник импульсного лазерного луча. Амплитуда по...
203.

Исследование влияния электронного облучения наструктуру GaSe--SiO2 спектроскопическими методами     

Ибрагимов Т.Д., Джафарова Э.А., Сафаров З.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Методами оже-спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована структура GaSe--SiO2 до и после облучения электронами с энергией4.0 МэВ и дозой облучения 3.0·1015 см-2. Показано, что после облучения толщина переходного слоя структуры уменьшается, а окисная пленка стано...
204.

Поведение заряда вскрытом диэлектрике структур кремний-на-изоляторе вэлектрических полях     

Николаев Д.В., Антонова И.В., Наумова О.В., Попов В.П., Смагулова С.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Исследовано поведение заряда в скрытом окисле структур кремний-на-изоляторе, полученых по технологии Dele-Cut, методом выдержки под напряжением при напряженности электрического поля 2--5.5 МВ/см. Обнаружено присутствие в окисле подвижного положительного заряда, перемещающегося под действием прило...
205.

Особенности магнитодиодного эффекта вмногодолинных полупроводниках принизких температурах     

Абрамов А.А., Горбатый И.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Теоретически проанализирован магнитодиодный эффект в плоской p-i-n-диодной структуре, сопровождаемый междолинным перераспределением электронов около ее холловских поверхностей, на которых происходит рекомбинация неравновесных носителей заряда. Показано, что учет суперпозиции поперечных потоков но...
206.

Эффект переключения в гетеропереходах Si--CdS, синтезированных врезко неравновесных условиях     

Беляев А.П., Рубец В.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Сообщается о результатах исследования электрических свойств и процессов формирования гетеропереходов на охлажденной до отрицательных температур подложке из кристаллического кремния. Приводятся данные технологических, электронографических и электрических исследований. Выявлен эффект переключения п...
207.

E0-спектры фотоотражения полупроводниковых структур свысокой плотностью состояний вобласти границы раздела     

Кузьменко Р.В., Домашевская Э.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
При помощи анализа экспериментальных спектров фотоотражения образцов Ga2Se3/n-GaAs, изготовленных при длительном отжиге подложек GaAs (концентрация электронов n~ 1017 см-3) в парах Se, установлен эффект отсутствия фотонапряжения в области границы раздела. Фотогенерация неравновесных носителе...
208.

Моделирование энергетического спектра поверхностных состояний структур металл--диэлектрик--полупроводник сучетом тока через диэлектрик     

Берман Л.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
В структурах металл--диэлектрик--полупроводник стонким диэлектриком нужно учитывать влияние тока через диэлектрик на заряд поверхностных состояний. Захват носителей тока на поверхностные состояния подавляет их термоэмиссию споверхностных состояний. Этот процесс замедляет увеличение заряда поверхн...
209.

Определение концентрации глубоких центров вдиодах Шоттки свысоким барьером принестационарной спектроскопии глубоких уровней     

Агафонов Е.Н., Георгобиани А.Н., Лепнев Л.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Проанализировано влияние высоты барьера Шоттки, энергетического положения глубоких уровней, концентраций глубоких и мелких дефектов, температуры и прикладываемых к образцу напряжений на вид выражения, определяющего концентрацию глубоких центров в диодах Шоттки с высоким барьером при измерениях ме...
210.

Роль вакансий кремния вформировании барьеров Шоттки наконтактах Ag иAu с3C- и6H-SiC     

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В., Таиров Ю.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Модифицированная модель Людеке, предполагающая, что за формирование барьера Шоттки ответственны дефектные состояния на границе, применена к расчету высоты барьеров Phinb в системах Ag, Au / 3C-, 6H-SiC. Получено отличное согласие с данными эксперимента. Расчет показал также, что концентрация крем...