Получено решение задачи о нелинейной релаксации заряда, образующегося в фотопроводящем материале при поглощении светового импульса. Рассчитаны профили распределения избыточных носителей и плотности фотоиндуцированного заряда в различных режимах транспорта. Рассмотрено влияние контактных явлений на динамику пространственного заряда и получены решения для граничных условий, соответствующих блокирующему контакту с освещаемым электродом и оптическому пробою контакта. Исследована эволюция интегрального импульсного отклика при поперечной электрооптической модуляции. Полученные результаты пригодны для анализа двух геометрических схем записи для ввода информации в пространственно-временной модулятор света при произвольном поглощении и для записи голографической решетки в пределе малых коэффициентов поглощения.
Кузьмин Ю.И. Нелинейная динамика пространственного заряда в фоторефрактивном кристалле при импульсной фотоинжекции // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 6, Стр. 71

Рассмотрим особенности рентгенодифракционного поля в структурах с переменным градиентом деформации на примере модели с экспоненциальным профилем. Показано, что задача восстановления структурных параметров нарушенного слоя по угловым положениям основного максимума и осцилляций в общем случае оказывается неоднозначной даже при монотонном изменении деформации по глубине. Получены условия, при которых решение этой задачи оказывается возможным. Выявлена аналогия с результатами подхода к расшифровке параметров нарушенного слоя, основанного на использовании интегральных характеристик кривой дифракционного отражения.
Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. Характер рентгенодифракционного рассеяния и определение структурных параметров пленки с переменным градиентом деформации // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 6, Стр. 67

Продемонстрирована существенная роль оксидов меди (в особенности закиси меди) в фотохромизме стандартных стекол ФХС-7. Проведено сравнение спектров поглощения ФХС со спектром стекол с микрочастицами закиси меди и спектрами закиси меди, осажденной на различные подложки. Показано, что твердофазные фотохимические реакции в гетеросистемах ответственны за фотохромизм.
Резников В.А., Соловьев Л.Е., Холмогоров В.Е. О механизме фотохромного процесса в медногалоидных фотохромных стеклах // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 5, Стр. 93

На основе применения интеграла Фурье построена приближенная теоретическая модель расчета полей отражения и преломления гауссова светового пучка на плоской границе раздела двух изотропных сред. Вблизи критического угла падения данная модель предсказывает наличие двух преломленных пучков, один из которых смещен вдоль границы на величину сдвига Гооса--Хенхен, причем для каждого из них имеют место кривизна фазовых фронтов и несовпадение эффективных направлений распространения энергии и фазы, как в анизотропной среде.
Кухарчик П.Д., Сердюк В.М., Титовицкий И.А. Полное внутреннее отражение гауссова светового пучка // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 4, Стр. 74

На основе математического моделирования исследуется лазероиндуцированная кинетика обратимой химической реакции в смеси газов при поглощении световой энергии колебательными переходами молекул. Исследуется влияние дифракции пучка, времени релаксации колебательной энергии в тепло и номера колебательного перехода на структуру области высокого поглощения и распространение волн переключения. Рассмотрение проведено для импульсов, длительность которых много больше времени обмена энергии между колебательными уровнями.
Гуназе О.А., Трофимов В.А. Об эффективности стимулирования химической газовой реакции дифрагирующим световым пучком при поглощении его энергии на колебательных переходах // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 4, Стр. 65

Для двухсекционного магнитогиротропного волновода с произвольной ориентацией намагниченности в каждой из секций показано, что изменением ориентации намагниченности в секциях и подбором их длин можно достичь оптимального по величине невзаимного эффекта модового преобразования в широком диапазоне толщины волноводного слоя.
Семенцов Д.И., Шутый А.М. Невзаимность преобразования мод в двухсекционном магнитогиротропном волноводе // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 3, Стр. 43

На основе решения уравнения кинетики изменения концентрации возбужденных центров свечения в слое люминофора тонкопленочного электролюминесцентного излучателя (ТП ЭЛИ) для различных форм возбуждающего напряжения (треугольной, трапецеидальной, синусоидальной, прямоугольной с экспоненциальным фронтом) получены зависимости средней яркости свечения от параметров слоев металл--диэлектрик-- полупроводник--диэлектрик--металл структуры ТП ЭЛИ и условий возбуждения. Показано, что при равных значениях амплитуды и периода следования импульсов знакопеременного симметричного напряжения средняя яркость свечения и светоотдача ТП ЭЛИ возрастают с увеличением скорости нарастания напряжения для различных форм возбуждающего напряжения в следующей последовательности: треугольная--синусоидальная--трапецеидальная--прямоугольная. Расчетные данные подтверждены результатами экспериментальных исследований.
Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. Влияние формы возбуждающего напряжения на яркость свечения тонкопленочных электролюминесцентных излучателей // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 2, Стр. 64

На основе решения уравнения кинетики изменения концентрации возбужденных центров свечения в электролюминесцентном слое тонкопленочного электролюминесцентного излучателя для линейно нарастающего напряжения получены зависимости средней и мгновенной яркости свечения от времени нарастания напряжения. Теоретически и экспериментально показано, что зависимости средней и амплитудной яркостей, а также внешнего и внутреннего квантового выхода, энергетического выхода и светоотдачи от времени нарастания напряжения имеют максимум, причем положение максимума определяется частотой возбуждающего напряжения. Полученные расчетные и экспериментальные зависимости позволяют определить основные параметры, характеризующие процесс электролюминесценции: сечение ударного возбуждения центров свечения, концентрацию центров свечения, вероятность перехода центров свечения в возбуженное состояние, а также вероятности излучательной и безызлучательной рекомбинации этих центров и другие.
Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. Исследование тонкопленочных электролюминесцентных излучателей при возбуждении линейно нарастающим напряжением // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 2, Стр. 58

Проведен анализ закономерностей в изменении амплитуды и частоты излучения полупроводникового лазера с внешней оптической обратной связью, связанных с движением внешнего отражателя. Показано, что влияние внешней оптической обратной связи на интерференционный сигнал вибраций отражателя можно ослабить не только путем уменьшения ее уровня, но и выбором расстояния до вибрирующего объекта.
Скрипаль А.В., Усанов Д.А., Вагарин В.А., Калинкин М.Ю. Автодинное детектирование в полупроводниковом лазере при движении внешнего отражателя // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 1, Стр. 72

Приводятся результаты исследования спектральных и временных характеристик электроразрядной эксимерной лампы, излучающей одновременно на переходах 351 nm XeF, 308 nm XeCl, 249 nm KrF и 222 nm KrCl. Рабочие смеси типа He/Kr/Xe/SF6/HCl возбуждались в поперечном разряде с искровой УФ предыонизацией при общем давлении 25-100 kPa. Для получения одинаковой яркости на переходах эксимерных молекул соотношение плотностей [Kr]/[Xe] составляло 8/0.8 kPa, а галогенсодержащих молекул [SF6]/[HCl] = [0.06-0.12]/[0.08-0.16] kPa. Длительность импульсов излучения на переходах эксимерных молекул при атмосферном давлении находилась в пределах 100-200 ns, а при уменьшении общего давления смесей до 250 kPa она увеличивалась в 2-3 раза. Ресурс спонтанного излучения на B-X-переходах эксимерных молекул достигал 105 импульсов.
Шуаибов А.К. Многоволновая эксимерная лампа на молекулах XeF/XeCl/KrF/KrCl // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 12, Стр. 64