Впервые установлена зависимость температуры перегрева Delta Tp-n активной области зеленых светодиодов на основе нитридов III группы от амплитуды прямого постоянного тока I. Показано, что в отличие от светодиодов, вольт-амперные характеристики которых хорошо описываются известными теориями выпрямления p-n-переходов, где Delta Tp-n прапорционально I, в исследованных структурах зависимость Delta Tp-n(I) в области токов 2·10-3-3·10-2 A носит квадратичный характер. При дальнейшем увеличении токов связь Delta Tp-n и I в зеленых светодиодах на основе нитридов III группы, как и в светоизлучающих диодах на основе известных инфракрасных и красных структур A3B5, становится линейной.
Сукач Г.А., Смертенко П.С., Олексенко П.Ф., Nakamura Suji Анализ температуры перегрева активной области зеленых СИД на основе нитридов III группы // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 4, Стр. 76

Численными методами рассчитан диапазон перестройки собственной доменной структуры эпитаксиальных пленок феррит-гранатов в поле традиционных носителей магнитной записи. Получены зависимости предельных значений периодов сигналограмм магнитного носителя, которые могут быть визуализированы за счет перестройки доменов в пленке, от параметров носителя и пленки.
Бутрим В.И., Вишневский В.Г., Дубинко С.В. Динамический диапазон материалов для магнитооптической визуализации магнитных полей // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 4, Стр. 63

Приведены результаты исследований параметров голографических согласованных фильтров фазовых и амплитудных транспарантов, в том числе фазовых масок со случайным распределением элементов, в корреляторе Ван-дер-Люгта. Определены условия записи таких фильтров на фазовом самопроявляющемся фотополимере. Отмечено существенное различие условий записи голографических фильтров для амплитудных транспарантов и фазовых масок. Показано, что голографические фильтры фазовых масок с отношением сигнал/шум в диапазоне 20-40 dB и eta от 6 до 70%, записанные на фотополимерной композиции, могут эффективно применяться в оптических системах распознавания образцов.
Ежов П.В., Смирнова Т.Н., Тихонов Е.О. Характеристики фотополимерных голографических согласованных фильтров в корреляторе Ван-дер-Люгта // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 3, Стр. 52

Рассмотрена полевая зависимость фотоэмиссионных токов в МДП структуре при произвольном распределении объемного заряда по толщине диэлектрического слоя. Аналитически установлено, что положение вершины потенциального барьера для фотоэмиттируемых из затвора в диэлектрик МДП структуры электронов определяется производной высоты этого барьера по напряженности внешнего поля. Предложен метод корректного определения профиля объемной плотности заряда в диэлектрике МДП структуры по семейству спектральных характеристик, измеренных при различных напряжениях на затворе. Метод эффективен при исследовании распределения отрицательного заряда в диэлектрических слоях МДП структур.
Левин М.Н., Бормонтов Е.Н., Волков О.В., Остроухов С.С., Татаринцев А.В. Анализ распределения заряда в диэлектрике МДП структуры по спектральным зависимостям фотоэмиссионного тока // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 3, Стр. 46

Для газовых лазеров с ядерной накачкой проведены расчеты оптических неоднородностей, формирующихся под воздействием неоднородного энерговклада осколков деления, облучающих лазерно-активный газ из тонких плоских урановых слоев. Результаты расчетов согласуются с экспериментом.
Матьев В.Ю., Боровков В.В., Мельников С.П. Оптические неоднородности в лазерах с ядерной накачкой с плоскими урановыми слоями // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 1, Стр. 79

Изучено влияние УФ облучения на вид зависимости интегральной интенсивности люминесценции Ilum(T) образцов пористого кремния от температуры. Установлено, что для образцов с немонотонным характером температурного затухания при повышении плотности возбуждения максимум Ilum(T) смещается в сторону более высоких температур. УФ облучение таких образцов меняет вид Ilum(T) от немонотонного к монотонно убывающему. В образцах с изначально монотонно убывающим характером зависимости Ilum(T) влияние предварительного УФ облучения приводит к изменению структуры спектра излучения и увеличению темпа температурного тушения красно-оранжевой полосы. Изучено изменение амплитуды импульсного фотоакустического отклика с изменением дозы УФ облучения. Установленная зависимость объясняется с позиций очистки развитой поверхности пористого кремния от инородных включений. Предложена энергетическая диаграмма состояний, с учетом которой объясняется поведение Ilum(T). Обращается внимание на то, что вид зависимости Ilum(T) может оказаться тем тестом, с помощью которого можно разграничить вклады в суммарную красно-оранжевую полосу излучения от осцилляторов разной природы.
Бащенко С.Н., Блонский И.В., Бродин М.С., Кадан В.Н., Скрышевский Ю.Г. Влияние УФ облучения на температурную зависимость фотолюминесценции и фотоакустический отклик пористого кремния // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 1, Стр. 66

Получены выражения для амплитуд сигналов, регистрируемых при использовании термолинзового и фазового (интерферометрическом) методов фототермической спектроскопии в условиях объемного поглощения возбуждающего излучения для случаев соосного и перпендикулярного распространения зондирующего и возбуждающего излучения. На основе численных расчетов проведено сравнение чувствительности указанных методов для различных значений параметров. Показано преимущество фазового метода, особенно большое в тех случаях, когда размеры области переменных возмущений температуры существенно превышают радиус зондирующего света.
Лукьянов А.Ю., Новиков М.А. Сравнение чувствительности термолинзового и фазового (интерференционного) методов фототермической спектроскопии // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 11, Стр. 99

Проанализирована структура распределения параметров плазмы в межэлектродном пространстве термоэмиссионного преобразователя энергии лазерного излучения в электрическую энергию. Исследованы процессы в приэлектродных областях разряда. Сформулированы уравнения, описывающие равновесное ядро непрерывного оптического разряда, и получены граничные условия к ним. Разработаны метод численного решения и комплекс программ для моделирования преобразователя энергии.
Алексеева И.В., Будник А.П., Дьяченко П.П., Жеребцов В.А., Зродников А.В., Суржиков С.Т. Теоретическое исследование термоэмиссионного метода преобразования энергии лазерного излучения в электрическую энергию // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 11, Стр. 91

Изучен эффект самоотражения световой волны в простейшей модели нелинейной, полубесконечной среды. Показано, что при интенсивности падающей волны, большей критической, в среде возникает индуцированный распространяющейся волной резонатор Фабри--Перо. Предсказана гистерезисная зависимость коэффициента отражения и длины резонатора Фабри--Перо от интенсивности падающей волны.
Ляхомская К.Д., Хаджи П.И. Эффект самоотражения в простейшей модели нелинейной среды // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 11, Стр. 86

Изучены особенности нелинейного пропускания ультракоротких импульсов резонансного лазерного излучения тонкой пленкой полупроводника в экситонной области спектра при учете экситон-фотонного взаимодействия и эффекта концентрационного усиления дипольного момента экситонного перехода. Показано, что в условиях точного резонанса пленка пропускает только передний фронт падающего прямоугольного импульса, а оставшуюся часть полностью отражает. При отличной от нуля расстройке резонанса существует остаточное пропускание. Предсказан ряд возможностей преобразования гауссовских импульсов. Найдены уравнения состояния для стационарного бистабильного пропускания (отражения) и исследована устойчивость полученных решений. Сформулирована теорема площадей, которая предсказывает ограничение площадей проходящих импульсов сверху: площади проходящих импульсов не могут превосходить pi/2.
Хаджи П.И., Федоров Л.В. Взаимодействие света с тонкой пленкой полупроводника при учете эффекта концентрационного усиления дипольного момента экситонного перехода // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 10, Стр. 65