Найдено научных статей и публикаций: 83
1.
О рекомбинации ивзаимодействии точечных дефектов споверхностью при кластеризации точечных дефектов вSi
На основе детального анализа кинетики роста дефектов{113} межузельного типа в n- и p-Si при облучении in situ в высоковольтном электронном микроскопе JEOL-1250 в работе рассмотрена конкурирующая роль рекомбинации точечных дефектов и их взаимодействия с поверхностью на процесс кластеризации точечных дефектов. Показано, что доминирующее взаимодействие вакансий с поверхностью кристалла является следствием появления энергетического барьера для рекомбинации точечных дефектов в слабо легированных кристаллахSi. Вэтих условиях сток вакансий на поверхность обеспечивает компенсацию роста энергии кристалла, вызванной разделением пар Френкеля. Большое различие скоростей роста дефектов {113} в n-Si и p-Si, экспериментально наблюдаемое в условиях доминирования рекомбинации, как предполагается, обусловлено различием энергетических барьеров для рекомбинации. При этом найденные величины барьеров коррелируют с энергией решеточной релаксации вакансии в различном зарядовом состоянии.
2.
О равновесии системы точечных зарядов с потенциалами, осциллирующими в ближней зоне
Куракин В.A., Ханукаев Ю.И. О равновесии системы точечных зарядов с потенциалами, осциллирующими в ближней зоне
// Электронный журнал "Исследовано в России", 7, 1511-1525, 2004. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2004/139.pdf
3.
О некоторых свойствах оценки коэффициента вариации длин последовательных интервалов точечного процесса
И.В. Заляпин, В.Ф. Писаренко . О некоторых свойствах оценки коэффициента вариации длин последовательных интервалов точечного процесса. Известия Челябинского научного центра, http://www.csc.ac.ru/news/, Выпуск 1(3), 1999
4.
О параметрической модели точечного направленного излучателя
Рассматривается теоретическое обоснование использования параметрической модели точечного направленного излучателя и приводятся условия, при удовлетворении которых вместо реальных излучателей конечных размеров может быть использован эквивалентный точечный направленный излучатель.
5.
Интегральное представление потенциала параметрической модели точечного направленного излучателя
Находится представление потенциала параметрической модели точечного направленного излучателя в однородном неограниченном пространстве в виде контурного интеграла. Такое представление необходимо для решения задач, связанных с определением поля рассматриваемого излучателя в ограниченных областях. Доказывается, что полученное представление является точным.
6.
Изменение координации движений школьников при выполнении дыхательной гимнастики и точечного массажа рецептивных зон тройничного нерва
В работе исследовались стабилометрические параметры, отражающие координацию движений школьников. Для снятия утомления и повышения учебной активности школьникам предлагалось выполнить дыхательную гимнастику, точечный массаж. В итоге нами было установлено, что после выполнения дыхательной гимнастики и точечного массажа оптимизировалось действие вестибулярного аппарата, зрительной, проприорецептивной системы, при этом улучшалась координация движений школьников, что приводило к повышению учебной активности учащихся.
7.
Нелинейность сопротивления точечного металлического контакта и детектирование волн свч при гелиевой температуре
Хайкин М.С., Краснополин И.Я.. Нелинейность сопротивления точечного металлического контакта и детектирование волн СВЧ при гелиевой температуре // Письма в ЖЭТФ, том 4, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru
8.
Генерация и детектирование излучения свч сверхпроводящим точечным контактом оловянных электродов
Краснополин И.Я., Хайкин М.С.. Генерация и детектирование излучения СВЧ сверхпроводящим точечным контактом оловянных электродов // Письма в ЖЭТФ, том 6, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru
9.
Эффект джозефсона в точечных сверхпроводящих контактах
Асламазов Л.Г., Ларкин А.И.. Эффект Джозефсона в точечных сверхпроводящих контактах // Письма в ЖЭТФ, том 9, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru
10.
О вольт-амперной характеристике сверхпроводящего точечного контакта при облучении
Волков А.Ф., Надь Ф.Я. О вольт-амперной характеристике сверхпроводящего точечного контакта при облучении // Письма в ЖЭТФ, том 11, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru