Район Теплый Стан располагается на территории Юго-Западного административного округа Москвы. До присоединения к столице Новомосковского и Троицкого округов, Теплый Стан был одним из приграничных районов. Территория муниципалитета составляет примерно 7,5 кв. км, а проживает здесь почти 135 тыс. человек.

Методом емкостной спектроскопии проведено исследование глубоких уровней в отсеченном слое кремния, а также уровней ловушек--- как на границе Si / SiO2, полученной прямым сращиванием, так и на границе Si(подложка) / <термический SiO2> в структурах кремний-на-изоляторе, созданных методом сращивания пластин кремния и расслоения одной из пластин путем имплантации водорода. Показано, что граница Si / <термический SiO2> в структуре кремний-на-изоляторе имеет непрерывный спектр состояний ловушек, близкий к случаю классических МДП структур. Распределение состояний в верхней половине запрещенной зоны для сращенной границы Si / SiO2 характеризуется относительно узкой полосой состояний в пределах от Ec-0.17 эВ до Ec-0.36 эВ. Кроме того, в отсеченном слое кремния наблюдаются два центра с уровнями Ec-0.39 эВ и Ec-0.58 эВ, которые сосредоточены в приповерхностном слое толщиной до 0.21 мкм и предположительно связаны с остаточными постимплантационными дефектами.

Методом емкостной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование изменений при отжиге спектра состояний на границеSi/SiO2, полученной прямым сращиванием, и на границе Si(подложка)/<термический SiO2> в структурах кремний-на-изоляторе. Структуры создавались методом сращивания пластин кремния с расслоением одной из пластин по плоскости, ослабленной имплантацией водорода. Отжиг структур кремний-на-изоляторе проводился при430oC в течение15 мин в атмосфере водорода, что соответствует стандартному режиму пассивации состояний на границеSi/SiO2. Показано, что для границы Si/<термический SiO2> в структуре кремний-на-изоляторе имеет место пассивация граничных состояний водородом, в результате чего плотность ловушек существенно уменьшается и непрерывный спектр состояний во всей зоне заменяется полосой состояний в интервале энергийEc-(0.1/ 0.35) эВ. Для ловушек на сращенной границе Si/SiO2 происходит трансформация центров, а именно, наблюдается смещение полосы энергий состояний отEc-(0.17/ 0.36) эВ доEc-(0.08/ 0.22) эВ; сечение захвата на ловушки уменьшается примерно на порядок, а плотность наблюдаемых ловушек несколько увеличивается.

Описна история герпетологических исследований на територии Подолья.

Шевцов И.В. Обоснование конструктивно-кинематических параметров решетных станов с уменьшающейся амплитудой колебаний по длине: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.20.01. - M, 2007.

Антощенков А.Е. Разработка мероприятий по повышению качества прокатного инструмента станов холодной прокатки труб: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.16.01. - M, 2007.

Радионов А.А. Автоматизированный электропривод совмещенного прокатно-волочильного проволочного стана : автореф. дис. ... докт. техн. наук : 05.09.03. - M, 2009.

Сарапулов О.А. Разработка автоматизированного электропривода линии охлаждения мелкосортного стана : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.09.03. - M, 2009.

Некипелов В.С. Разработка теории формирования витков катанки и создание высокоскоростного виткообразователя для проволочных прокатных станов : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.13. - M, 2009.

Шеметова А.А. Разработка методики анализа надежности автоматизированных электроприводов прокатных станов при реконструкции : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.09.03. - M, 2009.