Ефименко А.В., Семенова Т.Л., Гордиенко П.С. Новый класс сенсоров электронно-ионного типа на основе оксидных структур анодных пленок // Электронный журнал "Исследовано в России", 7, 1905-1922, 2004. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2004/179.pdf

Исследовалась стационарность и гауссовость флуктуаций сопротивления полупроводниковых газовых сенсоров, а также спектральный состав шума в эквирезистивных условиях. Показана зависимость гауссовости и стационарности шума от состава газовой фазы. Обнаружено, что спектральный состав шума сенсора в разных средах имеет качественно различный вид. На основании этого сделан вывод о принципиальной возможности повышения селективности газовых сенсоров путем совместного измерения их резистивных и шумовых характеристик.

Представлены результаты исследования с помощью атомно-силовой микроскопии слоев диоксида олова в зависимости от условий легирования йодом и теллуром в процессе получения слоев методом термического вакуумного напыления олова с последующим его окислением. Приведены и обсуждаются данные атомно-силовой микроскопии слоев, изготовленных в различных технологических режимах. Показано, что введение легколетучих примесей в состав исходной шихты является эффективным способом модификации структуры поверхности слоев и изменения характера ее микрорельефа. Исследована и анализируется температурная зависимость чувствительности слоев к парам толуола.

В процессе изготовления сенсора в приповерхностной областиCdS выращивался слой высокоомного CdS илиZnSe. Приведены результаты сравнительных исследований известных CdS-сенсоров ультрафиолетового излучения ипереходов Cu1.8S--CdS с промежуточными слоями. Слои, встроенные в области пространственного заряда, снижают туннельные диодные токи более чем на 3порядка величины, при этом сохраняется высокая квантовая эффективность структур в ультрафиолетовой области спектра.

Проведен анализ емкостного отклика полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок NiO и SnO2 с нанесенными на их поверхность наночастицами благородных металлов. Показано, что этот отклик появляется вследствие твердофазной реакции между металлом и полупроводником, сопровождающейся образованием пограничного слоя с достаточно высокой плотностью поверхностных электронных состояний. Наблюдаемый в емкостных газочувствительных сенсорах хемосорбционный эффект поля (изменение работы выхода металла при напуске газов) представляет собой не только чувствительный и оперативный метод анализа, но и основное фукнциональное явление, обусловливающее их емкостный отклик.

Исследовано влияние аммиака на электрические характеристики диодных структурPd--n-Si. Изучена кинетика изменения характеристик диодов при воздействии аммиака. Показано, что быстродействием сенсоров аммиака на основе диодовPd--n-Si можно управлять, подавая импульсы дополнительного потенциала на барьерный электрод.

На основе простой модели резистивного тонкопленочного сенсора получено аналитическое выражение, описывающее зависимости отклика на воздействие восстановительного газа от температуры, парциального давления газа, концентрации донорной примеси в пленкеSnO2 и от времени после начала действия газа. Анализ экспериментальных данных показал, что при T563 K--- центрами сO-. Молекулы метана при T>=q 510 K взаимодействуют с центрами, занятымиO-. С помощью данных по временным зависимостям отклика в широком интервале температур определены энергии активации десорбции. При T563 K для водорода и при T>510 K для метана она равна1.3 эВ. Энергия активации адсорбции для метана равна2.5 эВ. PACS: 07.07.Df; 73.50.Dn; 68.43.Mn

Подлепецкий Б.и., Никифорова М.ю., Измайлов Д., Степаньянц Н., Гуменюк С.в., Коваленко А.в. Исследование стабильности характеристик интегральных сенсоров водорода и влияния на них светового излучения // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.6 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы, стр. 91-92

Подлепецкий Б.и. Научно-технические проблемы на пути создания газоаналитических интегральных сенсоров и микросхем // Научная сессия МИФИ-2000. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 149-150

Никифорова М.ю., Подлепецкий Б.и., Гуменюк С.в., Коваленко А.в., Макарова И.ю., Мамедов Г.с., Чиликин А.а. Исследование воспроизводимости характеристик интегральных сенсоров водорода при их долговременной эксплуатации // Научная сессия МИФИ-2000. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 147-148