Для обыкновенных дифференциальных уравнений второго порядка с обращающимся в нуль коэффициентом при старшей производной доказываются теоремы о существовании и единственности решений краевых задач.

Устанавливается новая особенность динамики резонансных гиперболических краевых задач -- высокомодовая буферность. Суть данного феномена в том, что при подходящем выборе параметров в системе реализуется любое фиксированное число устойчивых циклов, бифурцирующих из нулевого положения равновесия на конечном числе высоких мод (младшие и, наоборот, слишком высокие моды при этом не возбуждаются).

Пусть K

Н.С. Розов. Социологическая теория и мировая интеллектуальная история: "Социология философий" Рэндалла Коллинза // Социологический журнал, № 4, 2001, http://knowledge.isras.ru/sj/

В. Беньямин. Карл Либкнехт, Роза Люксембург памяти героев германской революции (статья члена Германской Компартии тов. Гешке) // Социологический журнал, № 1-2, 1996, http://knowledge.isras.ru/sj/

Рассмотрены две схемы для усиления двухмодового сжатого света в состоянии Эйнштейна--Подольского--Розена (ЭПР), где наличие интегралов движения приводит к сохранению квантовых корреляций, в то время как мощность каждой волны может возрастать. Одна из схем основана на параметрическом трехфотонном взаимодействии в прозрачной нелинейной среде, вторая представляет вариант резонансного взаимодействия с атомным ансамблем.

Е.Д. Браун, Войны Роз в графстве Норфолк // Журнал "Новый исторический вестник", № 4, 2001, http://www.nivestnik.ru/

Исследованы транспортные свойства одиночных гетероструктур IIтипа p-GaInAsSb/p-InAs и параметры электронного канала в зависимости от уровня легирования акцепторами четверного эпитаксиального слоя GaInAsSb. Обнаружено резкое падение подвижности в электронном канале на гетерогранице при сильном легировании твердого раствора, что может быть связано с переходом от полуметаллической проводимости к полупроводниковой и обусловлено сужением электронного канала и сильной локализацией электронов в ямах потенциального рельефа на интерфейсе.

Исследованы магнитотранспортные свойства электронного канала на гетерогранице в разъединенных гетеропереходах II типа p-GaInAsSb / p-InAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии, с различным составом твердого раствора (x=0.09-0.22) в интервале температур 77-300 K. Показано, что электронный канал с высокой подвижностью (mu=30 000-50 000 см2/(В· с)), образующийся на гетерогранице, сохраняется во всем интервале составов. Обсуждается зонная энергетическая диаграмма исследуемых гетероструктур и оценены параметры электронного канала. Установлено, что электронный канал с высокой подвижностью сохраняется вплоть до комнатной температуры. Такие гетероструктуры могут быть перспективны для создания холловских сенсоров нового типа с электронным каналом на гетерогранице.

Исследован магнитотранспорт в узкозонных гетеропереходах InxGa1-xAsySb1-y/GaSb, полученных методом жидкофазной эпитаксии с различным составомIn в твердом растворе (x=0.85-0.95, Eg=<0.4 эВ). Показано, что в зависимости от содержанияIn в этих гетероструктурах может быть реализован ступенчатый гетеропереход IIтипа (приx=0.85) или разъединенный гетеропереход (приx=0.95) с высокоподвижным электронным каналом на гетерогранице (mu~=20 000 см2/В·с). При x=0.92 в зависимости от температуры наблюдаются оба типа гетеропереходов. Полученные результаты находятся в хорошем согласии с зонной энергетической диаграммой изучаемых гетероструктур IIтипа InGaAsSb/GaSb.