Найдено научных статей и публикаций: 18
1.
Силовые закономерности и упруго-деформируемой ременной передачи (новая постановка задачи эйлера)
В.И. Пожбелко . Силовые закономерности и упруго-деформируемой ременной
передачи (новая постановка задачи Эйлера). Известия Челябинского научного центра, http://www.csc.ac.ru/news/, Выпуск 3(8), 2000
2.
Механизмы излучательной рекомбинации влазерах наоснове двойных гетероструктур InGaAsSb / InAsSbP, работающих вдиапазоне3.0/ 3.6 мкм
Показано, что в зависимости от состава активной области и (или) ограничивающих слоев на гетерограницах могут быть реализованы гетеропереходыI илиIIтипа. Это определяет различие в механизмах излучательной рекомбинации, температурных зависимостях длины волны излучения, типе поляризации излучения, вольт-амперных характеристиках.
3.
Электролюминесценция светодиодов lambda =3.3/ 4.3 мкм наоснове твердых растворов InGaAs и InAsSbP винтервале температур 20/ 180o C
Исследованы СД lambdamax=3.4, 4.3 мкм (t=20oC) при повышенных температурах. Показано, что для описания их работы в интервале температур t=20/ 180oC применимы классические представления об инжекционных источниках излучения и процессах рекомбинации носителей заряда. Температурные зависимости обратных токов ВАХ в области насыщения соответствуют возрастанию собственной концентрации носителей заряда в теории Шокли. Спектры излучения описываются в предположении прямых переходов зона--зона, сферически симметричных зон и термализованных носителей заряда. W-I-характеристики пропорциональны I2/3, что говорит о доминирующей роли безызлучательной оже-рекомбинации. Мощность излучения экспоненциально падает с температурой, что характерно для CHSH- и CHCC-процессов.
4.
Спектральные характеристики лазеров на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (lambda =3.0/ 3.6 мкм)
Показано, что увеличение внутренних потерь за порогом генерации в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (диапазон длин волн lambda=3.0/3.6 мкм, температура T=77 K) приводит к токовой перестройке лазерной моды в голубую сторону, достигающей 80 см-1/А, и может объяснить уширение лазерной линии от 5 до 7 МГц с ростом тока накачки.
5.
Лазеры на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP (lambda =3.0-3.3 мкм) для диодно-лазерной спектроскопии
Приведены данные о пороговых токах, дифференциальной квантовой эффективности, спектральном составе, токовой перестройке и мощности излучения диодных мезаполосковых лазеров на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP на диапазон длин волн lambda=3.0-3.3 мкм с длиной резонатора 70-150 мкм в интервале температур 50-107 K. Получены значения пороговых токов Ith
6.
Отрицательная люминесценция вдиодах наоснове p-InAsSbP/n-InAs
В диодных гетероструктурах p-InAsSbP/n-InAs, смещенных в обратном направлении, исследовалась отрицательная люминесценция lambdamax=3.8 мкм в интервале температур 70/ 180oC. Мощность отрицательной люминесценции возрастала с повышением температуры и, начиная со 110oC, оказывалась больше мощности электролюминесценции в прямом направлении. Получены значения мощности отрицательной люминесценции 5 мВт/см2, эффективности 60% и коэффициента преобразования 25 мВт/А · см2 при 160oC.
7.
Инфракрасные светодиоды соптическим возбуждением наоснове InGaAs(Sb)
Приведены спектральные характеристики и мощность излучения светодиодов с длиной волны 3.1--3.6 мкм, изготовленных из структур, содержащих узкозонные слои InGaAs или InGaAsSb на подложке n+-InAs, в которых накачка осуществлялась с помощью светодиода из арсенида галлия. Получен коэффициент преобразования 90 мВт / А·см2, сравнимый с данными для инжекционных светодиодов.
8.
Электролюминесценция светодиодов наоснове твердых растворов InGaAs и InAsSbP (lambda =3.3-4.3 мкм) винтервале температур 20-180o C (продолжение*)
Созданы и исследованы светодиоды на основе p-n-гомо- и гетероструктур с активными слоями из InAsSbP и InGaAs, мощностью излучения от 0.2 мВт (lambda=4.3 мкм) до 1.33 мВт (lambda=3.3 мкм) и коэффициентами преобразования от 30(InAsSbP, lambda=4.3 мкм) до 340 мВт/А·см2 (двойная гетероструктура InAsSb/InAsSbP, lambda=4.0 мкм). Сростом тока наблюдалось уменьшение коэффициента преобразования, связанное в основном с джулевым разогревом p-n-гомопереходов. Насыщение мощности при увеличении тока в светодиодах на основе двойных гетероструктур не было связано с нагревом активной области. При повышении температуры светодиодов (lambda=3.3, 4.3 мкм) от 20 до 180oC происходило падение мощности излучения в7 и 14 раз, достигая при 180oC значений 50(1.5 A) и7 мкВт(3 A) соответственно.
9.
Мощные лазеры (lambda =3.3 мкм) наоснове двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP
Влазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP (lambda=3.3 мкм, T=77 K) мощность многомодовой генерации составила 1.56 Вт в импульсном режиме (длительность импульсаtau=30 мкс, частота f=500 Гц) и160 мВт в непрерывном режиме, мощность одномодовой генерации составила18.7 мВт в непрерывном режиме. Показано, что разогрев активной области приводит к сублинейности ватт-амперных характеристик лазеров с "длинными" резонаторами, в то время как насыщение мощности в лазерах с "короткими" резонаторами (L=140-300 мкм) вызвано в основном увеличением внутренних потерь.
10.
Прямые оптические переходы визлучательной рекомбинации втвердых растворах InGaxAs (0=<q x=<q 0.16)
Исследованы фотолюминесценция эпитаксиальных слоев твердого раствора InGaxAs в диапазоне составов 0=<q x=<q 0.16, полученных жидкофазной эпитаксией на подложках InAs(111), и электролюминесценция p-n-переходов на их основе в интервале температур 77--450 K. Показано, что, несмотря на отрицательное несоответствие периодов решетки эпитаксиального слоя и подложки, излучательная рекомбинация в эпитаксиальных слоях определяется прямыми оптическими переходами, обеспечивающими высокий внутренний квантовый выход люминесценции (6%, 295 K).