Методом регистрации картины дифракции быстрых электронов in situ построена диаграмма структурного и морфологического состояния пленки Ge на поверхности Si (100), включающая в себя следующие области: сплошная пленка, hut- и dome-кластеры, dome-кластеры с дислокациями несоответствия на границе раздела. Впервые определено изменение параметров решетки пленки Ge в процессе ее роста на поверхности Si (100) при молекулярно-лучевой эпитаксии и обнаружены осцилляции изменения параметра поверхностной атомной ячейки в плоскости (100) на стадии двумерного слоевого роста.

Айнутдинов В.м., Дорофеев А.в., Киндин В.в., Суслов П.с., Шутенко В.в. Прототип регистрирующей системы для черенковского водного детектора на базе сканирующих АЦП // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.4 Астрофизика. Космофизика. Ускорительная техника. Физика элементарных частиц. Ядерная физика, стр. 189-190

Бесперстова Н.а., Исаков С.в., Солдатов В.г. Расчет угловой зависимости чувствительности регистрирующих модулей панорамного датчика // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.5 Биофизика. Математическое моделирование в геофизике. Медицинская физика. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 137-138

Предложена электрическая модель системы из двух стимулирующих и двух регистрирующих электродов. Модель обосновывает подобие форм импульсов тока на стимулирующих и напряжения на регистрирующих электродах.