Найдено научных статей и публикаций: 10
1.
Разогрев спиновой системы носителями тока и перенос энергии между магнонной и фононной системами в магнитных полупроводниках CdCr_2Se_4 и ЕuО
Самохвалов А.А., Осипов В.В., Иваев А.Т., Калинников В.Т., Аминов Т.Г.. Разогрев спиновой системы носителями тока и перенос энергии между магнонной и фононной системами в магнитных полупроводниках CdCr_2Se_4 и ЕuО // Письма в ЖЭТФ, том 30, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru
2.
Разогрев и остывание электронного газа в электрических полях в компенсированном антимониде индия
Ашмонтас С.П., Пожела Ю.К., Субачюс Л.Е.. Разогрев и остывание электронного газа в электрических полях в компенсированном антимониде индия // Письма в ЖЭТФ, том 33, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru
3.
Разогрев квазичастиц в сверхпроводящей пленке, находящейся в резистивном состоянии
Гершензон Е.М., Гершензон М.Е., Гольцман Г.Н., Семенов А.Д., Сергеев А.В.. Разогрев квазичастиц в сверхпроводящей пленке, находящейся в резистивном состоянии // Письма в ЖЭТФ, том 34, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru
4.
Разогрев излучением электронов и время неупругого электрон-фононного рассеяния в соединении YBaCuO
Гершензон Е.М., Гершензон М.Е., Гольцман Г.Н., Карасик Б.С., Семенов А.Д., Сергеев А.В.. Разогрев излучением электронов и время неупругого электрон-фононного рассеяния в соединении YBaCuO // Письма в ЖЭТФ, том 46, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
5.
Баллистический разогрев дырок в одноосно деформированном германии
Алтухов И.В., Каган М.С., Королев К.А., Синие В.П.. Баллистический разогрев дырок в одноосно деформированном германии // Письма в ЖЭТФ, том 62, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru
6.
Разогрев линий и полос скольжения как механизм квазиатермичности пластической деформации кристаллов при низких температурах
Теоретически обсуждается механизм нарушения закона Аррениуса для скорости пластической деформации и появления платообразных участков на температурных зависимостях термоактивационных параметров при деформировании кристаллов в области низких (
7.
Транспорт и разогрев электронов в полупроводниках с одномерной сверхрешеткой
На основе уравнени Больцмана с новым модельным интегралом столкновений, учитывающим перераспределение энергии и импульса между всеми степенями свободы электрона, построена и исследована трехмерная модель электронного транспорта в одномерных полупроводниковых сверхрешетках (СР). Найдены ВАХ, средние энергии и эффективные температуры электронов при вертикальном и продольном транспорте. В отличие от одномерных моделей развитый в работе подход позволяет учесть и описать не только продольный, но и поперечный относительно направления тока разогрев электронов. При вертикальном транспорте поперечный разогрев существенно меняет положение, величину и ширину максимума тока. При продольном --- возникает неквадратичный по полю разогрев электронов вдоль оси СР даже в приближении линейной ВАХ. Проанализирована возможность описания электронного транспорта в СР смещенным фермиевским распределением в анизотропной температурой.
8.
Разогрев двумерных экситонов неравновесными акустическими фононами
Рассчитаны функции энергетического распределения двумерных экситонов в присутствии неравновесных акустических фононов для геометрии, используемой в опытах с тепловыми импульсами. Результаты получены путем численного решения кинетического уравнения для условий, когда экситонный газ за время жизни успевает приходить в равновесие с фононами. Рассматриваются случаи предельно малой и большой плотностей экситонного газа. Показано, что при малой плотности экситонного газа функция распределения не является больцмановской и зависит от ширины квантовой ямы. Проводится сравнение с ранее полученными экспериментальными результатами.
9.
Разогрев двумерного электронного газа электрическим полем поверхностной акустической волны
Исследован разогрев двумерного электронного газа высокочастотным электрическим полем поверхностной акустической волны, который можно описать с помощью электронной температуры Te. Показано, что баланс энергии электронного газа определяется рассеянием электронов на пьезоэлектрическом потенциале акустических фононов (при определении Te из измерений на частоте f=30 и 150 МГц). Экспериментальные зависимости мощности энергетических потерь Q от Te на разных частотах поверхностной волны зависят от соотношения omegatauvarepsilon по сравнению с 1, где tauvarepsilon--- время релаксации средней энергии электронов. Приведены теоретические расчеты разогрева двумерного электронного газа электрическим полем поверхностной акустической волны для случая теплых электронов (Delta T<< T), показывающие, что для одной и той же мощности энергетических потерь Q степень разогрева двумерных электронов (т. е. отношение Te/T) при omegatauvarepsilon>1 (f=150 МГц) меньше, чем при omegatauvarepsilon
10.
Разогрев электронов сильным продольным электрическим полем вквантовых ямах
Исследованы процессы разогрева электронов сильным продольным электрическим полем и рассеяния энергии неравновесных электронов на полярных оптических фононах в прямоугольных квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Предложена простая модель расчета скорости рассеяния энергии электронов на неравновесных оптических фононах. Рассмотрены результаты некоторых экспериментов по разогреву носителей заряда в квантовых ямах и показано, что учет неравновесных оптических фононов значительно улучшает согласие теоретических и экспериментальных данных.