Найдено научных статей и публикаций: 8   
1.

Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в сильном магнитном поле     

Шкловский Б.И. - Письма в ЖЭТФ , 1982
Шкловский Б.И.. Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в сильном магнитном поле // Письма в ЖЭТФ, том 36, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru
2.

Номическая прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в кристаллическом кремнии     

Ионов А.Н., Матвеев М.Н., Шлимак И.С., Ренч Р. - Письма в ЖЭТФ , 1987
Ионов А.Н., Матвеев М.Н., Шлимак И.С., Ренч Р.. Номическая прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в кристаллическом кремнии // Письма в ЖЭТФ, том 45, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru
3.

Высокотемпературная проводимость с переменной длиной прыжка     

Гершензон Е.М., Гурвич Ю.А., Мельников А.П., Шестаков Л.Н. - Письма в ЖЭТФ , 1990
Гершензон Е.М., Гурвич Ю.А., Мельников А.П., Шестаков Л.Н.. Высокотемпературная проводимость с переменной длиной прыжка // Письма в ЖЭТФ, том 51, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru
4.

Концентрационный переход к проводимости с постоянной длиной прыжка по состояниям вблизи уровня Ферми при эффекте поля в слабокомпенсированном Si:B     

Веденеев А.С., Гайворонский А.Г., Ждан А.Г., Моделли А., Рыльков В.В., Ткач Ю.Я. - Письма в ЖЭТФ , 1993
Веденеев А.С., Гайворонский А.Г., Ждан А.Г., Моделли А., Рыльков В.В., Ткач Ю.Я.. Концентрационный переход к проводимости с постоянной длиной прыжка по состояниям вблизи уровня Ферми при эффекте поля в слабокомпенсированном Si:B // Письма в ЖЭТФ, том 57, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru
5.

Возникновение режима неоптимальных прыжков для проводимости на переменном токе в аморфном антимониде галлия     

Демишев С.В., Пронин А.А., Случанко Н.Е., Самарин Н.А., Ляпин А.Г. - Письма в ЖЭТФ , 1997
Демишев С.В., Пронин А.А., Случанко Н.Е., Самарин Н.А., Ляпин А.Г.. Возникновение режима неоптимальных прыжков для проводимости на переменном токе в аморфном антимониде галлия // Письма в ЖЭТФ, том 65, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru
6.

Экспериментальное проявление коррелированных прыжков втемпературных зависимостях проводимости легированного CdTe     

Агринская Н.В., Козуб В.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
В легированных кристаллах CdTe исследовано поведение прыжкового транспорта в области кроссовера от проводимости, соответствующей закону Мотта, к проводимости по состояниям кулоновской щели. Обнаружено несоответствие отдельных параметров (радиус локализации, диэлектрическая проницаемость), оцененных исходя из поведения проводимости по разные стороны кроссовера. Указанные противоречия объясняются в рамках упрощенной модели, учитывающей роль ассистирующих прыжков.
7.

Проводимость с переменной длиной прыжка по примесным состояниям In в твердом растворе Pb0.78Sn0.22Te     

Немов С.А., Гасумянц В.Э., Прошин В.И., Равич Ю.И., Потапова Д.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Измерена термоэдс S в твердом растворе Pb0.78Sn0.22Te, легированном 3 ат%In при дополнительном легировании Cl до 3 ат% в широком интервале температур T
8.

Опредэкспоненциальном множителе взаконе Мотта для прыжковой проводимости спеременной длиной прыжка вслабокомпенсированных кристаллах p-Hg0.8Cd0.2Te     

Богобоящий В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Исследована прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в нелегированных кристаллах p-Hg0.8Cd0.2Te в интервале температур 4.2-125 K и концентраций вакансийHg от1016 до4· 1017 см-3. По результатам исследований определена температурная и концентрационная зависимость множителяrho0M перед экспонентой в законе Мотта. Обнаружено, что температурная зависимостьrho0M вполне согласуется с выводами теории, полученными в одночастичном приближении. Вто же время величинаrho0M существенно зависит от концентрации вакансийHg и величиныT0 в законе Мотта, что противоречит выводам такой теории. Полученная зависимость является степенной по обоим параметрам; показатель степени равен2.3-2.4. Считается, что концентрационная зависимостьrho0M является специфической для двухзарядных акцепторов и связана с наличием у вакансии ртути второй связанной дырки.