Результаты предыдущей работы (ФТТ 46, 2135 (2004) ) пересмотрены с учетом зависимости электронного сродства от политипа SiC. Полученная из данных по барьерам Шоттки зависимость уровня вакансии в политипе от ширины его запрещенной зоны объяснена в рамках простой двухзонной модели. Работа выполнена при частичной поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований (N 03-02-16 и 04-02016632а). PACS: 71.55.Ht, 73.30.+y

В рамках простой модели проанализированы результаты измерений высоты барьера Шоттки Phinb на контакте хрома с политипами карбида кремния 8H-, 6H-, 15R-, 27R- и4H-SiC-n-типа проводимости. Показано, что величина Phinb пропорциональна концентрации кремниевых вакансий в политипах. Обсуждаются результаты измерений Phinb на контактах палладия и платины с политипами карбида кремния.

Модифицированная модель Людеке, предполагающая, что за формирование барьера Шоттки ответственны дефектные состояния на границе, применена к расчету высоты барьеров Phinb в системах Ag, Au / 3C-, 6H-SiC. Получено отличное согласие с данными эксперимента. Расчет показал также, что концентрация кремниевых вакансий, которые и определяют величину Phinb, слабо зависит от природы металлического компонента контакта.

В предположении линейной зависимости электронного сродства политипов карбида кремния от степени их гексагональности определены разрывы зон проводимости и валентных зон на контакте 3C-SiC с политипами NH-SiC (N=2, 4, 6, 8). Врамках модели треугольной квантовой ямы сделаны оценки энергии основного состоянияvarepsilon0. Показано, что эффективно управлять положением уровня varepsilon0 можно только с помощью легирования широкозонного политипа n-NH-SiC мелкими донорами.

В приближении поверхностной молекулы рассмотрено взаимодействие уровней кремниевых и углеродных вакансий с состояниями металла. Показано, что определяющая роль кремниевых вакансий в формировании барьера Шоттки на контакте Cr--SiC объясняется высокой плотностью состояний на антисвязывающем уровне. PACS: 73.30.+y, 71.20.Nr

Рассмотрена гетероструктура, образованная включением кубической 3Cобласти между гексагональными \glqq обкладками\grqq. Предполагается, что величина спонтанной поляризации пропорциональна степени гексагональности \glqq обкладок\grqq. Вэтом предположении вычислены значения электростатических полей в кубической области и определено положение двумерных подзон. Оценена энергия квазипрямых и непрямых экситонных переходов с использованием моделей треугольной и прямоугольной ям. Оценки для системы4H/3C/4H показывают вполне удовлетворительное согласие с расчетами других авторов и экспериментальными данными. PACS: 71.35.-y, 77.22.Ej, 73.40.Lq

Власенкова Ю.Б. Развитие интегрированных финансовых посредников в условиях глобализации финансовых рынков: автореф. дис. ... канд. экон. наук : 08.00.14. - M, 2007.

Моисеев А.И. Развитие паевых инвестиционных фондов на основе их взаимодействия с другими финансовыми посредниками: автореф. дис. ... канд. экон. наук : 08.00.10. - M, 2010.

Зинина М.М. Деятельность института мировых посредников по проведению крестьянской реформы 1861 года (на материалах саратовской губернии) : автореф. дис. ... канд. ист. наук : 07.00.02. - M, 2009.

Рассмотрены институциональные субъекты, вовлеченные в процесс инвестиционной деятельности на национальном рынке.