Найдено научных статей и публикаций: 39   
1.

Рождение тяжелых лептонов на встречных е^+е^- -пучках с последующим распадом L to mu (e)+v+v_L     

Берков А.В., Жижин Е.Д., Никитин Ю.П. - Письма в ЖЭТФ , 1976
Берков А.В., Жижин Е.Д., Никитин Ю.П.. Рождение тяжелых лептонов на встречных е^+е^- -пучках с последующим распадом L to mu (e)+v+v_L // Письма в ЖЭТФ, том 23, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru
2.

Наблюдение в ядерной фотоэмульсии распада очарованного Sigma_c^0 бариона на $Lambda_c^+pi^- с последующим распадом Lambda_c^+ на Sigma^+pt^-pi^+     

Аммар Р. Аммосов В.В., Бакич А., Баранов В.И., Барнет Т., Батусов Ю.А., Бунятов С.А., Вайсенберг А.О., Вилкс Р., Вильчинска Б., Вильчински Г., Войводик Л., Волтер В., Войсек Б., Гапиенко В.А., Горичев П.А., Грэсс Дж., Дайон М.И., Дэвис Р., Егоров О.К., Иванова М., Квак Н., Клюхин В.И., Колганова Э.Д., Копадж Д., Корешев В.И., Крживджински С., Кузнецов О.М., Лорд Дж., Люков В.В., Махлюева И.В., Ольшевски А., Пик Л., Питухин П.В., Пожарова Е.А., Раймер Р., Розенбладт Р., Рубин Г., Сиротенко В.И., Слободюк Е.А., Смарт В., Смирнитскин В.А., Стамп Р., Третьяк В.И., Чернев X., Шаманов В.В., Шевченко В.Г., Юрак А., Ярба В.А. - Письма в ЖЭТФ , 1986
Аммар Р. Аммосов В.В., Бакич А., Баранов В.И., Барнет Т., Батусов Ю.А., Бунятов С.А., Вайсенберг А.О., Вилкс Р., Вильчинска Б., Вильчински Г., Войводик Л., Волтер В., Войсек Б., Гапиенко В.А., Горичев П.А., Грэсс Дж., Дайон М.И., Дэвис Р., Егоров О.К., Иванова М., Квак Н., Клюхин В.И., Колганова Э.Д., Копадж Д., Корешев В.И., Крживджински С., Кузнецов О.М., Лорд Дж., Люков В.В., Махлюева И.В., Ольшевски А., Пик Л., Питухин П.В., Пожарова Е.А., Раймер Р., Розенбладт Р., Рубин Г., Сиротенко В.И., Слободюк Е.А., Смарт В., Смирнитскин В.А., Стамп Р., Третьяк В.И., Чернев X., Шаманов В.В., Шевченко В.Г., Юрак А., Ярба В.А.. Наблюдение в ядерной фотоэмульсии распада очарованного Sigma_c^0 бариона на $Lambda_c^+pi^- с последующим распадом Lambda_c^+ на Sigma^+pt^-pi^+ // Письма в ЖЭТФ, том 43, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru
3.

О необычной "полосе" поглощения в инфракрасном спектре кремния, отжигающегося при высокой температуре с последующим быстрым охлаждением     

Жданович Н.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
В инфракрасных спектрах поглощения полученного зонной плавкой кремния, подвергнутого циклической термообработке при 1250o C с быстрым охлаждением после каждого отжига и с частичным снятием термического окисла в каждом цикле, обнаружена необычная "полоса" поглощения с гигантской полушириной. Предложена модель, объясняющая наблюдаемые особенности спектра трансформацией в процессе термообработки нанопреципитатов примесей, содержащихся в исходном кремнии, и микроблочной структурой материала.
4.

Действие облучения и последующего отжига на нанокристаллы Si, сформированные в слоях SiO2     

Качурин Г.А., Яновская С.Г., Ruault M.-O., Гутаковский А.К., Журавлев К.С., Kaitasov O., Bernas H. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Люминесцирующие нанокристалллы Si, сформированные в слоях SiO2, облучали электронами и ионами He+ с энергиями 400 и 25/1 30 кэВ соответственно. Действие облучения и последующих отжигов 600/ 1000o C исследованы методами фотолюминесценции и электронной микроскопии. После малых доз (~1 смещение / нанокристалл) обнаружены гашение фотолюминесценции нанокристаллов, но одновременно рост их числа. После больших доз (~103 смещений / нанокристалл) наблюдалась аморфизация, что не характерно для объемного Si. Обнаруженные явления объяснены генерацией точечных дефектов и их захватом границами Si--SiO2. Фотолюминесценция нанокристаллов восстанавливается при температурах менее 800oC, однако для кристаллизации преципитатов требуется около 1000oC. Наблюдавшееся после отжига усиление фотолюминесценции объясняется суммированием интенсивностей фотолюминесценции от исходных нанокристаллов и от возникших вследствие облучения.
5.

Эффективный метод очистки и загрузки сырых трафиков в хранилище данных для последующего анализа     

Терехова Ю.в. - Научная сессия МИФИ-2000. Т.2 Информатика и процессы управления. Информационные технологии. Сетевые технологии и параллельные вычисления , 2000
Терехова Ю.в. Эффективный метод очистки и загрузки сырых трафиков в хранилище данных для последующего анализа // Научная сессия МИФИ-2000. Т.2 Информатика и процессы управления. Информационные технологии. Сетевые технологии и параллельные вычисления, стр. 91-92
6.

Модель торгов покупателя и продавца в последующих взаимодействиях спроса и предложения на биржевых рынках     

Левин Борис Аркадьевич
Левин Б.А. Модель торгов покупателя и продавца в последующих взаимодействиях спроса и предложения на биржевых рынках: автореф. дис. ... канд. экон. наук : 08.00.13. - M, 2008.
7.

Образовательная деятельность как средство исправления и последующей социальной адаптации осужденных к лишению свободы     

Бебенин Вячеслав Геннадьевич
Бебенин В.Г. Образовательная деятельность как средство исправления и последующей социальной адаптации осужденных к лишению свободы : автореф. дис. ... докт. пед. наук : 13.00.08. - M, 2008.
8.

Получение углеродных адсорбентов из древесного сырья путём предпиролиза с последующей термохимической активацией     

Калиничева Оксана Александровна
Калиничева О.А. Получение углеродных адсорбентов из древесного сырья путём предпиролиза с последующей термохимической активацией: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.21.03. - M, 2008.
9.

Сверхкритическая флюидная экстракция среднелетучих органических соединений из человеческих волос с последующим хромато-масс- спектрометрическим анализом всего экстракта     

Богданов Александр Владимирович
Богданов А.В. Сверхкритическая флюидная экстракция среднелетучих органических соединений из человеческих волос с последующим хромато-масс- спектрометрическим анализом всего экстракта: автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.02. - M, 2007.
10.

Переработка нефтешламов с последующей доочисткой до экологически безопасного уровня     

Головцов Михаил Владимирович
Головцов М.В. Переработка нефтешламов с последующей доочисткой до экологически безопасного уровня : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 03.00.16. - M, 2008.