Зверев В.Н.. Осцилляции в магнитном поле фотопроводимости германия при монохроматической примесной подсветке // Письма в ЖЭТФ, том 28, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Кончиц А.А., Зарицкий И.М., Семенов Ю.Г., Шанина Б.Д., Вихнин В.С., Круликовский Б.К.. Инверсия населенностей спиновых состояний Cr^+ в кремнии при неполяризованной оптической подсветке // Письма в ЖЭТФ, том 31, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru

Зверев В.Н., Шовкун Д.В.. Осцилляции в магнитном поле фотопроводимости n-GaAs при монохроматической инфракрасной подсветке // Письма в ЖЭТФ, том 43, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru

Пикус Ф.Г.. Об увеличении низкотемпературной подвижности двумерных электронов при постоянной подсветке // Письма в ЖЭТФ, том 52, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru

Обнаружено, что дополнительная подсветка излучением с энергией фотонов, превышающей ширину запрещенной зоны в барьерных слоях, приводит к сильной (глубиной до 40% при использовавшихся мощностях подсветки) модуляции интенсивности света, упруго рассеянного при резонансном возбуждении экситонных состояний в квантовых ямах GaAs/AlGaAs структур. Наблюдавшийся эффект связан, по-видимому, с перераспределением сил осцилляторов экситонных переходов вследствие образования заряженных трехчастичных экситонных комплексов (трионов), возникающих благодаря преимущественному захвату в квантовые ямы одноименно заряженных неравновесных носителей заряда (в нашем случае дырок).

Основным достоинством реакторов деления с нейтронной подсветкой является то, что благодаря нейтронной подсветке реакторы работают в подкритическом режиме и поэтому ядерно безопасны. Нужные для подсветки нейтроны производятся за счет фрагментации ядер мишени при облучении мишени ускоренными до энергий 1-2 GeV протонами. Существенным недостатком этого способа производства энергии является сильное ограничение на мощность установки. Это ограничение возникает из-за ограничения на интенсивность пучка ускоренных протонов, обусловленное допусками на активацию конструктивных элементов ускорителя. Показано, что при замене протонов на более тяжелые ядра от углерода до аргона, удается существенно увеличить интенсивность пучка ускоренных ионов и достичь коммерчески разумного уровня тепловой мощности ~4-6 GW.

Исследованы низкотемпературные спектры фотопроводимости (ФП) кристаллов CdS в области края собственного поглощения в зависимости от уровня подсветки кристалла инфракрасным (ИК) светом из области гашения ФП. Выявлены закономерности ИК гашения фототока по контуру спектральной кривой ФП. Анализ этих закономерностей позволил установить непосредственную связь между r-центрами фоточувствительности и структурой спектра вблизи края собственного поглощения. Обнаружен и объяснен эффект "закрепления" на поверхности полупроводника времени жизни основных носителей. Предполагается, что в кристаллах CdS поверхностные акцепторные состояния играют роль поверхностных центров фоточувствительности.

С помощью измерения низкочастотного шума в условиях сильного геометрического магнетосопротивления исследована природа шума 1/f, проявляющегося в сильно легированном n-GaAs (концентрация электронов n0~=1017 см-3) при зона-зонной подсветке. Показано, что такой шум имеет объемную природу и обусловлен флуктуациями числа носителей (а не подвижности). Впервые экспериментально показана возможность отличать поверхностный шум от объемного, используя измерения в условиях сильного геометрического магнетосопротивления.

Представлены экспериментальные результаты по изучению особенностей зависимости латеральной фотопроводимости структур AlGaAs / InGaAs с квантовыми точками и квантовыми ямами от интенсивности межзонного света при низких температурах. Обнаружено, что рост фотопроводимости происходит пороговым образом. Вобласти относительно больших тянущих полей наблюдались осцилляции фотопроводимости. Изучено влияние тянущего поля и температуры на фотопроводимость. Результаты анализируются в рамках теории протекания неравновесных носителей заряда по локализованным состояниям при учете релаксации механического напряжения вокруг квантовых точек.

Булатов И.а., Егоров А.н., Жиряков Б.м., Попов Н.и. Оптический квантовый генератор на рубине как источник дискретной импульсной подсветки для исследования быстропротекающих процессов // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 190