Найдено научных статей и публикаций: 47   
1.

Понимание и память: сознание и бессознательное     

А.Ю. Агафонов - Вестник Самарского Государственного Университета , 2004
В статье описан авторский подход к решению проблемы сознания. Смысл предлагается рассматривать в качестве психического содержания. Деятельность сознания трактуется как работа понимания, связанная со смыслопорождающей активностью. Предложен новый взгляд на природу бессознательного как памяти в аспекте сохранения смысловой информации.
2.

Автобиографическая память / Пер. с англ. Д.М. Рогозина, М.В. Рассохиной     

С. Садмен, Н. Брэдберн, Н. Шварц - Социологический журнал , 2002
С. Садмен, Н. Брэдберн, Н. Шварц. Автобиографическая память / Пер. с англ. Д.М. Рогозина, М.В. Рассохиной // Социологический журнал, № 2, 2002, http://knowledge.isras.ru/sj/
3.

Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl     

Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. - Письма в ЖЭТФ , 1993
Головин Ю.И., Моргунов Р.Б.. Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl // Письма в ЖЭТФ, том 58, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru
4.

Историческая память: преемственность и трансформации     

Круглый Стол: - Журнал "Социологические исследования" , 2002
Круглый Стол:, Историческая память: преемственность и трансформации // Журнал "Социологические исследования", № 1, 2002, http://socis.isras.ru/
5.

Поляризационная память в пористом окисленном слое SiC     

Данишевский А.М., Рогачев А.Ю., Шуман В.Б., Гук Е.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Обнаружена поляризация и поляризационная память импульсной фотолюминесценции на пористых слоях, полученных на микрокристаллических пленках кубического SiC, осажденных на кремниевые подложки. Пористый слой подвергнут электрохимическому окислению. Предложена качественная модель, поясняющая механизм возникновения поляризации фотолюминесценции при линейно поляризованном возбуждении.
6.

Фотоэлектрическая память в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs / AlGaAs     

Овсюк В.Н., Демьяненко М.А., Шашкин В.В., Торопов А.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Обнаружено возрастание темнового тока на 2/3порядка в многослойных структурах с квантовыми ямами GaAs/AlxGa1-xAs при x~= 0.4 после освещения структур оптическим излучением (lambda
7.

Оптическая память гетероструктурыn-InSb--SiO2--p-Si     

Никольский Ю.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
В гетероструктуре n-InSb--SiO2--p-Si легко реализуются необходимые условия для существования оптической памяти--- наличие потенциальных барьеров и глубоких ловушек. Коэффициент памяти, измеренный на прямой ветви вольт-амперной характеристики, составляет максимальную величину~104. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их.
8.

Социально-историческая память как базис национального характера русских     

Мамаева О. Б. - Библиотека ННГАСУ (Нижний Новгород) , 2001
Социально-историческая память как базис национального характера русских: Автореф.дис. ...канд.филос.наук:24.00.01 / О. Б. Мамаева; Нижегород.гос.архитектур.-строит.ун-т. - Н.Новгород, 2001. - 24с.
9.

Общая память в системе MIKSys под управлением ОС Windows 9x и Windows NT     

Дубов А.в., Комиссарчук С.ю. - Научная сессия МИФИ-2000. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы , 2000
Дубов А.в., Комиссарчук С.ю. Общая память в системе MIKSys под управлением ОС Windows 9x и Windows NT // Научная сессия МИФИ-2000. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 49-50
10.

Интеллект, память, воображение в "этике" спинозы     

Новохатько А.г. - Научная сессия МИФИ-2001. Т.6 Проблемы университетского образования. Экономика и управление. Актуальные проблемы гуманитарных наук , 2001
Новохатько А.г. Интеллект, память, воображение в "этике" Спинозы // Научная сессия МИФИ-2001. Т.6 Проблемы университетского образования. Экономика и управление. Актуальные проблемы гуманитарных наук, стр. 140-141