Найдено научных статей и публикаций: 47
1.
Понимание и память: сознание и бессознательное
В статье описан авторский подход к решению проблемы сознания. Смысл предлагается рассматривать в качестве психического содержания. Деятельность сознания трактуется как работа понимания, связанная со смыслопорождающей активностью. Предложен новый взгляд на природу бессознательного как памяти в аспекте сохранения смысловой информации.
2.
Автобиографическая память / Пер. с англ. Д.М. Рогозина, М.В. Рассохиной
С. Садмен, Н. Брэдберн, Н. Шварц. Автобиографическая память / Пер. с англ. Д.М. Рогозина, М.В. Рассохиной // Социологический журнал, № 2, 2002, http://knowledge.isras.ru/sj/
3.
Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl
Головин Ю.И., Моргунов Р.Б.. Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl // Письма в ЖЭТФ, том 58, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru
4.
Историческая память: преемственность и трансформации
Круглый Стол:, Историческая память: преемственность и трансформации // Журнал "Социологические исследования", № 1, 2002, http://socis.isras.ru/
5.
Поляризационная память в пористом окисленном слое SiC
Обнаружена поляризация и поляризационная память импульсной фотолюминесценции на пористых слоях, полученных на микрокристаллических пленках кубического SiC, осажденных на кремниевые подложки. Пористый слой подвергнут электрохимическому окислению. Предложена качественная модель, поясняющая механизм возникновения поляризации фотолюминесценции при линейно поляризованном возбуждении.
6.
Фотоэлектрическая память в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs / AlGaAs
Обнаружено возрастание темнового тока на 2/3порядка в многослойных структурах с квантовыми ямами GaAs/AlxGa1-xAs при x~= 0.4 после освещения структур оптическим излучением (lambda
7.
Оптическая память гетероструктурыn-InSb--SiO2--p-Si
В гетероструктуре n-InSb--SiO2--p-Si легко реализуются необходимые условия для существования оптической памяти--- наличие потенциальных барьеров и глубоких ловушек. Коэффициент памяти, измеренный на прямой ветви вольт-амперной характеристики, составляет максимальную величину~104. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их.
8.
Социально-историческая память как базис национального характера русских
Социально-историческая память как базис национального характера русских:
Автореф.дис. ...канд.филос.наук:24.00.01 / О. Б. Мамаева; Нижегород.гос.архитектур.-строит.ун-т.
- Н.Новгород, 2001. - 24с.
9.
Общая память в системе MIKSys под управлением ОС Windows 9x и Windows NT
Дубов А.в., Комиссарчук С.ю. Общая память в системе MIKSys под управлением ОС Windows 9x и Windows NT // Научная сессия МИФИ-2000. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 49-50
10.
Интеллект, память, воображение в "этике" спинозы
Новохатько А.г. Интеллект, память, воображение в "этике" Спинозы // Научная сессия МИФИ-2001. Т.6 Проблемы университетского образования. Экономика и управление. Актуальные проблемы гуманитарных наук, стр. 140-141