Электрик создание пользовательское освещения, обеспечить надлежащее решение требования домовладельца, достижения наилучшего результата.

Дегтяренко Н.Н., Елескин В.Ф.. О возможной неустойчивости состояний полупроводника при освещении интенсивным светом за счет тройной рекомбинации // Письма в ЖЭТФ, том 13, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru

Афанасьев М.М., Компан М.Е., Меркулов И.А.. Увеличение температуры Кюри магнитных полупроводников под действием освещения // Письма в ЖЭТФ, том 23, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru

Шмытько И.М., Шехтман В.Ш., Иванов В.И., Хасанов С.М.. Автоколебательный режим сегнетоэлектрического фазового перехода в прустите при непрерывном освещении // Письма в ЖЭТФ, том 29, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru

Осипьян Ю.А., Тальянский В.И., Харламов А.А.. О влиянии освещения на поверхностную проводимость германия // Письма в ЖЭТФ, том 31, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru

Анзин В.Б., Веселаго В.Г., Заварицкий В.Н., Прохоров А.М.. Влияние освещения на гальваномагнитные характеристики двумерного электронного газа в сильных магнитных полях // Письма в ЖЭТФ, том 40, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru

Аскарьян Г.А., Лерман А.А.. Яркое пятно за тенью освещенного тела (или провала интенсивности), движущегося у поверхности нелинейной среды // Письма в ЖЭТФ, том 44, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru

Мамин Р.Ф., Тейтельбаум Г.Б.. Трансформация сегнетоэлектрических фазовых переходов под действием освещения // Письма в ЖЭТФ, том 44, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru

Сабликов В.А., Сандомирский В.Б.. Фотомагнитные эффекты при локальном освещении в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ, том 49, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru

Копылов Э.А. Эффективный метод расчета освещенности с использованием функции плотности распределения вероятности для генерации вторичных лучей. // Graphicon 2002 proceedings, http://www.graphicon.ru/2002/