Акустическая обработка помещений звукопоглощающими материалами широко распространена с целью снижения в них реверберации и улучшения звукоизолирующих свойств. Натуральные материалы, например волокно кокосовых орехов, перспективны для использования в качестве звукопоглощающих материалов. Эти волокна являются отходами сельскохозяйственного производства, поэтому их использование может быть экономически выгодным. В статье обсуждается звукопоглощающие свойства слоистых материалов на основе волокна кокосовых орехов. Исследуется влияние облицовочных микроперфорированных панелей и воздушного промежутка на звукопоглощение многослойных конструкций. Коэффициент звукопоглощения — основной исследуемый параметр. Для расчета коэффициента звукопоглощения выполнено моделирование с использованием программы WinFLAGTM"!. Моделирование показало, что многослойность конструкции на основе кокосового волокна и наличие воздушного промежутка приводят к увеличению коэффициента звукопоглощения. Расчеты выполнены для диффузного падения звука. 8 страниц, 7 иллюстраций

Барабанов И.Р., Веретенкин Е.П., Гаврин В.Н., Захаролв Ю.И., Зацепин Г.Т., Новикова Г.Я., Орехов И.В., Чурмаева М.И.. Проверка закона сохранения электрического заряда // Письма в ЖЭТФ, том 32, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru

Заварицкий Н.В., Заварицкий В.Н., Макензи А.П., Орехов Ю.Ф.. Влияние иттрия на повышение Тс кристалла Bi(2212) // Письма в ЖЭТФ, том 60, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Нанокристаллы германия в пленке GeO2, сформированные в процессе осаждения газообразного монооксида германия на подложке сапфира, исследованы методами фотолюминесценции (ФЛ) и спектроскопии комбинационного рассеяния света (КР). В данной гетеросистеме обнаружен пик ФЛ в видимом спектральном диапазоне при комнатной температуре. Из положения пика КР на локализованных оптических фононах в германии были оценены размеры GeD нанокристаллов. Рассчитанное с учетом размерного квантования электронов и дырок в GeD нанокристаллах положение пика ФЛ хорошо совпадает с положением экспериментально наблюдаемого пика.

Многослойные структуры с наноостровками германия, сформированные на поверхности кремния с ориентацией (111) при субмонослойном осаждении методом молекулярно-лучевой эпитаксии, были исследованы с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС). Для интерпретации экспериментальных спектров КРС проведены численные расчеты спектров для наноостровков, содержащих от нескольких атомов германия до нескольких сотен атомов. Расчеты демонстрируют существенное влияние размеров наноостровков в плоскости (при размерах менее 2--3 нм) на частоты локализованных в них фононов. Экспериментальные данные КРС подтверждают наличие квантово-размерного эффекта.

Наноостровки германия, сформированные на поверхностиSi сориентацией (111), покрытой ультратонким слоем окисла, были исследованы сприменением методики спектроскопии комбинационного рассеяния света. Для анализа экспериментальных данных проведены численные расчеты спектров для реальных островков, содержащих несколько сотен атомов германия. Обсуждены эффекты резонансного усиления интенсивности комбинационного рассеяния света всистеме <наноостровок германия>-окисел-кремний ивлияния латеральных размеров наноостровков на частоты локализованных вних фононов.

Исследовалось воздействие импульсов излучения рубинового лазера на нанокластеры Ge, сформированные на подложке Si(100). Плотность энергии облучения соответствовала порогу плавления поверхности Si. Изменение структуры нанокластеров анализировалось на основании данных спектроскопии комбинационного рассеяния света всопоставлении срасчетами на основе моделей Борна--фон-Кармана и Волькенштейна. Установлено, что воздействие одного импульса изменяет структуру нанокластеров. Наблюдается изменение их размеров и частичная релаксация напряжений сжатия. Еще более существенные изменения происходят при воздействии 10 импульсов. Нанокластеры Ge трансформируются вкластеры твердого раствора GexSi1-x, предположительно за счет диффузионных процессов, стимулированных механическими напряжениями и вакансионными дефектами. Проведено численное моделирование динамики теплового воздействия лазерного излучения на нанокластеры германия вкремнии.

Исследованы пленки GeO2, содержащие нанокристаллы германия, полученные двумя способами: осаждением пленок из пересыщенных паров GeO с последующим распадом метастабильного монооксида германия на гетерофазную систему Ge : GeO2; формированием аномально толстых естественных окислов германия химического состава GeOx(H2O) при его каталитически ускоренном окислении. Пленки на различных подложках исследованы с применением методик фотолюминесценции, спектроскопии комбинационного рассеяния света, спектральной эллипсометрии, высокоразрешающей электронной микроскопии. Впленках GeO2 с нанокластерами Ge обнаружена интенсивная фотолюминесценция при комнатной температуре. Изположения пика спектра комбинационного рассеяния на локализованных оптических фононах оценены размеры нанокластеров. Получена корреляция между уменьшением размеров нанокластеров и сдвигом пиков фотолюминесценции в синюю область спектра при уменьшении доли кристаллического германия. Наличие нанокластеров подтверждено данными электронной микроскопии высокого разрешения. Наблюдается корреляция рассчитанной с учетом размерного квантования электронов и дырок оптической щели в нанокластерах с положением экспериментально наблюдаемого пика. Из полученных данных можно сделать вывод, что нанокластеры Ge в матрице GeO2 являются квантовыми точками первого рода.

Дмитриева Н.в., Орехов С.б., Борисенко Н.г., Фоменко С.в., Швецов-шиловский И.н. Образное полипараметрическое моделирование процессов как способ системного анализа многомерных физиологических данных // Научная сессия МИФИ-2001. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 149-150

Орехов С.б. Распределенная система для мониторинга состояния здоровья населения на основе полипараметрической технологии // Научная сессия МИФИ-2002. Т.1 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы, стр. 104-105