На монокристалле соединения {rm La0.8Ba0.2MnO3} исследованы температурные зависимости электросопротивления, намагниченности и дифференциальной магнитной восприимчивости в окрестности перехода металл~-- диэлектрик и магнитного перехода ферромагнетик~-- парамагнетик. Независимо друг от друга экспериментально определены критические температуры для обоих переходов. Показано, что с точностью до 2--3% эти температуры совпадают. Обсуждение результатов проведено в рамках теории перколяции.

Рассмотрен моттовский переход металл--изолятор (МИ) в слабо компенсированных полупроводниках с простым законом дисперсии (типа InSb). Проведено микроскопическое описание перехода МИ в условиях, когда в окрестности перехода примесная зона перекрыта с зоной проводимости, а уровень Ферми расположен в зоне проводимости. Из условия минимума внутренней энергии системы электронов и доноров показано, что учет донор-донорного взаимодействия приводит к стабилизации промежуточного состояния, в котором доноры ионизованы частично. Показано, что в некотором интервале концентраций доноров, близки к критическому значению, магнитное поле, подавляя ван-дер-ваальсовские взаимодействия нейтральных доноров, индуцирует переход из диэлектрической фазы в металлическую. Проводится параллель с аналогичными эффектами в сильно компенсированных полупроводниках (переход Андерсона), связанными с эффектами слабой локализации.

Разработан эффективный метод вычисления суммы дипольных магнитных полей узлов решетки, основанный на использовании осевой симметрии третьего порядка и переходе к суммированию по гексагональным плоскостям. Найдены значения полей в октаэдрических и тетраэдрических междоузлиях ГПУ решетки в случае спиральных структур тяжелых РЗ металлов и для самария. Показано, что отсутствие экспериментально наблюдаемого скачка дипольного поля в точке ферро-антиферромагнитного перехода в диспрозии объясняется малым углом поворота спиральной магнитной структуры. На основе вычисления микроскопических полей в однородной сплошной среде обсуждается проблема интерпретации макроскопического поля Лоренца.

Рассматривается аномальное поведение (FOMP) кривых намагничивания высокоанизотропных соединений редкоземельных металлов. Отмечается, что объяснение FOMP за счет вклада высших констант Ki магнитной анизотропии большой величины противоречит точечному приближению теории кристаллического поля. Предлагается альтернативное объяснение на основе многоподрешеточной модели, в которой используются подрешеточные константы kj только первого порядка, определяемые из независимых экспериментальных данных по ЯМР. Прямые вычисления дают удовлетворительное объяснение FOMP в Tb2Fe17. Обсуждается возможная связь FOMP с парадоксом Брауна в теории доменной структуры и коэрцитивной силы. Работа финансировалась грантом Российского фонда фундаментальных исследований N 02-02-16440.

Проведены исследования магнитной восприимчивости, электропроводности и рентгеновских фотоэлектронных и абсорбционных спектров дефектных кобальтитов лития Li1-xCoO2. Для составов с x>0.25 при T~150 K обнаружено скачкообразное возрастание восприимчивости и изменение типа проводимости. Высказано предположение, что переход полупроводник--металл в дефектном кобальтите лития связан с увеличением диффузионной подвижности лития при повышении температуры в условиях существования корреляции между пространственным распределением литиевых вакансий и \glqq электронных\grqq дырок. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 05-03-32355\_а, 04-03-96092-урал\_а) и интеграционного проекта УрО--СО РАН. PACS: 71.30.+h, 75.50.Pp

Вольт-амперные характеристики, фоточувствительность и импеданс были исследованы для структур Al/пористый кремний/c-Si (p-типа) с толщиной пористого слоя 0.2/6 мкм и пористоcтью 80%. Показано, что в области обратных и небольших прямых смещений ток определяется потенциальным барьером подложки c-Si у изотипного гетероперехода <пористый кремний>/c-Si. Фоточувствительность определяется поглощением света в подложке c-Si. Потенциальный барьер контакта металл/<пористый кремний> не влияет на фоточувствительность и на вольт-амперные характеристики структур. Экспериментальные зависимости импеданса структур от приложенного постоянного смещения, толщины слоя пористого кремния и частоты хорошо согласуются с теоретическими, если использовать эквивалентную схему, включающую две последовательно соединенные параллельные RC-цепочки из сопротивления и геометрической емкости слоя пористого кремния, а также сопротивления и емкости потенциального барьера подложкиc-Si.

Аксельрод Л.М. Разработка и внедрение комплекса мероприятий по снижению интенсивности формирования отложений в сталеразливочном тракте при непрерывной разливке металла на МНЛЗ: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.16.02. - M, 2007.

Жигалов В.С. ОСОБЕННОСТИ СТРУКТУРЫ, ФАЗОВЫХ СОСТОЯНИЙ И МАГНИТНЫХ СВОЙСТВ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ КОМПОЗИЦИОННЫХ ПЛЕНОК 3d-МЕТАЛЛОВ, ПОЛУЧЕННЫХ СВЕРХБЫСТРОЙ КОНДЕНСАЦИЕЙ: автореф. дис. ... докт. физ.-мат. наук : 01.04.11. - M, 2010.

Мамяченков С.В. Исследование гидрометаллургических процессов в многокомпонентных системах производства вторичных цветных металлов : автореф. дис. ... докт. техн. наук : 05.16.02. - M, 2008.

Айматов У.А. Эндогенный синтез композиций на основе алюминия методом металлотермического восстановления соединений переходных и редких металлов : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.16.02. - M, 2009.