Найдено научных статей и публикаций: 76   
1.

Адаптивный пользовательский интерфейс в программных обучающих и тестирующих комплексах для системы открытого образования     

Ю.М.Вишняков, С.И.Родзин - Перспективные информационные технологии и интеллектуальные системы , 2001
Ю.М.Вишняков, С.И.Родзин. АДАПТИВНЫЙ ПОЛЬЗОВАТЕЛЬСКИЙ ИНТЕРФЕЙС В ПРОГРАММНЫХ ОБУЧАЮЩИХ И ТЕСТИРУЮЩИХ КОМПЛЕКСАХ ДЛЯ СИСТЕМЫ ОТКРЫТОГО ОБРАЗОВАНИЯ // Перспективные информационные технологии и интеллектуальные системы, № 1 (5), 2001, http://pitis.tsure.ru/
2.

Динамические интерфейсы представления среды компьютерного обучения     

Е.В. Нужнов - Перспективные информационные технологии и интеллектуальные системы , 2004
Е.В. Нужнов. Динамические интерфейсы представления среды компьютерного обучения // Перспективные информационные технологии и интеллектуальные системы, № 3 (19), 2004, http://pitis.tsure.ru/
3.

Xml в описании структуры графического интерфейса     

Ю.М. Вишняков, Хоанг Суан Бать - Перспективные информационные технологии и интеллектуальные системы , 2005
Ю.М. Вишняков, Хоанг Суан Бать. XML в описании структуры графического интерфейса // Перспективные информационные технологии и интеллектуальные системы, № 1 (21), 2005, http://pitis.tsure.ru/
4.

Магнитный резонанс и эффект антипересечения уровней экситонов, локализованных на противоположных интерфейсах в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II     

Баранов П.Г., Машков И.В., Романов Н.Г., Гордон К., Лаваллар Ф., Планель Р. - Письма в ЖЭТФ , 1994
Баранов П.Г., Машков И.В., Романов Н.Г., Гордон К., Лаваллар Ф., Планель Р.. Магнитный резонанс и эффект антипересечения уровней экситонов, локализованных на противоположных интерфейсах в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II // Письма в ЖЭТФ, том 60, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
5.

Обменные взаимодействия экситонов, локализованных на противоположных интерфейсах в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II: ОДМР и антикроссинг уровней     

Баранов П.Г., Романов Н.Г., Хофштеттер А., Шарманн А., Шнорр К., Алерс Ф.Й., Пирц К. - Письма в ЖЭТФ , 1996
Баранов П.Г., Романов Н.Г., Хофштеттер А., Шарманн А., Шнорр К., Алерс Ф.Й., Пирц К.. Обменные взаимодействия экситонов, локализованных на противоположных интерфейсах в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II: ОДМР и антикроссинг уровней // Письма в ЖЭТФ, том 64, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru
6.

Возможный механизм сверхпроводимости в интерфейсе CuO--Cu     

И. И. Амелин - Письма в ЖЭТФ , 2002
По-видимому, в интерфейсе CuO-Cu на поверхности окиси меди образуется двумерная решетка CuO, состоящая из Cu2+ и О1- ионов, которые образуют узкую частично заполненную двумерную зону. В этом случае в кислородной подсистеме плоскости вследствие выполнения условий Шубина--Вонсовского возможно образование локальных электронных пар (ЛЭП). В данном приближении грубая оценка температуры образования ЛЭП дает значение T*sim104 К. При концентрации в интерфейсном слое nsim1.6cdot1020 см-3 и эффективной массе носителей m*sim me температура начала бозе-эйнштейновской конденсации может иметь значение Tcsim 1000 К. Полученная оценка температуры Tc по порядку величины соответствует экспериментальному значению.
7.

Линейная поляризация излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe, индуцированная анизотропным профилем интерфейсов     

В. В. Травников, В. Х. Кайбышев - Письма в ЖЭТФ , 2006
При исследовании низкотемпературных спектров экситонной люминесценции квантовой ямы ZnCdSe/ZnSe, выращенной в направлении [100], обнаружено, что в зависимости от энергии возбуждающего света наблюдаемое излучение линейно поляризовано в плоскости ямы либо вдоль оси [011], либо вдоль ортогональной ей оси [0bar11]. Поляризация вдоль оси [011] связана с анизотропией геометрических профилей интерфейсов и соответствует поляризации экситонов, локализованных в вытянутых вдоль оси [011] террасах~-- областях, соответствующих увеличению толщины ямы на глубину одного или нескольких монослоев. Террасы возникают за счет наличия на интерфейсах ступенек роста. Анизотропия в распределении ступенек роста~-- б'ольшая длина ступенек по оси [011] ответственна и за появление поляризации вдоль оси [0bar11]. Такая поляризация возникает за счет обнаруженного специфического канала анизотропного экситонного поглощения. В результате такого поглощения возбуждаются свободные экситоны с большими волновыми векторами. Возбуждение экситонов светом носит непрямой характер~-- в нем участвуют дополнительные процессы упругого рассеяния экситонов на интерфейсных ступеньках роста. Преимущественное рассеяние на ансамбле более протяженных ступенек роста (вдоль оси [011]) приводит к выстраиванию волновых векторов возбуждаемых экситонов. Различие в вероятности поглощения для поляризаций возбуждения по осям [011] и [0bar11] обусловлено разной вероятностью рассеяния на ступеньках для экситонов, дипольные моменты которых, а соответственно, и оси волновых функций P-типа для участвующих в процессе дырок ориентированы вдоль или поперек направления выстраивания волновых векторов экситонов.
8.

Развитие графического интерфейса и топологических задач AutoCAD Map и Land Development Desktop для геоинформационной инженерной системы предприятия.     

Турлапов В.Е. - Graphicon conference , 2002
Турлапов В.Е. Развитие графического интерфейса и топологических задач AutoCAD Map и Land Development Desktop для геоинформационной инженерной системы предприятия. // Graphicon 2002 proceedings, http://www.graphicon.ru/2002/
9.

Применение графовых моделей для спецификации пользовательского интерфейса программных систем     

А. А. Янкелевич - Вестник Молодых Ученых , 2001
In this article the method of describing user interface for software systems is discussed. The main target of this research is invention of the formal language for interface definition, based on graph theory. Contemporary UI in most cases build from independent widgets (user agents), which may be activated (focused) by user. The sequence of activation steps may be described as oriented graph. In this case, vertex presents the widgets and arc presents the possible activation steps. The some properties of this interface definition are also discussed 
10.

Электронная структура интерфейсов PTCDA/GaAs и NTCDA/GaAs     

Комолов С.А., Аляев Ю.Г., Потюпкин Н.В., Бузин И.С. - Журнал Технической Физики , 2005
Были проведены исследования процесса формирования интерфейсов между органическими полупроводниковыми материалами PTCDA и NTCDA и поверхностью монокристалла GaAs (100). Применение спектроскопии полного тока позволило проследить особенности формирования интерфейсной электронной структуры. Между обоими органическими материалами и подложкой GaAs образуется связь за счет затягивания на подложку pi-электронного облака ароматического ядра молекул. При этом наблюдаются модификация соответствующих электронных состояний молекул интерфейсного слоя, а также возникновение диполя на интерфейсе.