Статья является частью проводимого атором исследования по музыке Исламской цивилизации (VII XVII вв.). Выделяя арабский уд в качестве центрального  музыкального инструмента, автор раскрывает новый тип музыкального профессионализма, который формировался в средние века на мусульманском Востоке. В статье описан и проанализирован широкий материал, связанный с традициями арабских музыкантов при дворе халифов (до X в.), с конструкцией уда и других струнных инструментов, с техникой игры на них, с музыкальной практикой древних персов, с ранней теорией  музыкальных ладов.  

В статье изучается задача Орра--Зоммерфельда { (iR)-1 M2 - a [q(x)M - q''(x)] } y = -l My, y (± 1) = y' (± 1) = 0, где M=d2/dx2 - a 2, q(x) -- профиль скорости течения, R -- число Рейнольдса, a -- волновое число. Мы даём обоснование метода Галёркина для приближённого вычисления собственных значений этой задачи при условии, что базис для метода выбирается из собственных функций оператора M2.

Абдулаев Г.Б., Тагиров В.И., Кязым-заде А.Г., Панахов М.М., Гулиев О.Г., Салманов В.М.. Анизотропия фотопроводимости монооеленида индия при высоких уровнях оптического возбуждения // Письма в ЖЭТФ, том 32, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru

Абдуллаев Г.Б., Абуталыбов Г.И., Алиев А.А., Ларионкина Л.С., Нейман-заде И.К., Салаев Э.Ю.. Свободные и связанные экситоны в монокристалле TlOnS_2 // Письма в ЖЭТФ, том 38, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru

Гасан-заде С.Г., Ромака В.А., Сальков Е.А., Шепельский Г.А.. Фотопроводимость бесщелевого полупроводника при образовании энергетической щели // Письма в ЖЭТФ, том 39, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru

Васько Ф.Т., Гасан-заде С.Г., Ромака В.А., Шепельский Г.А.. Инверсия проводимости и аномально высокая подвижность дырок в бесщелевом полупроводнике при одноосной деформации // Письма в ЖЭТФ, том 41, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Гасан-заде С.Г., Ромака В.А., Шепельский Г.А.. Переход проводимости металл - диэлектрик - металл, индуцированный одноосной деформацией, в бесщелевом полупроводнике Hg_{1-x}Cd_xTe // Письма в ЖЭТФ, том 44, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru

Васько Ф.Т., Гасан-заде С.Г., Стриха М.В., Шепельский Г.А.. Изменение механизма рекомбинации в узкощелевых полупроводниках при одноосном сжатии // Письма в ЖЭТФ, том 50, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru

В узкощелевых полупроводниках с прямой запрещенной зоной создание упруго-наряженного состояния позволяет существенно ослабить междузонную ударную рекомбинацию за счет трансформации валентной зоны. В результате резко повышается квантовый выход инфракрасного излучения в области междузонных переходов. Экспериментальные результаты получены на кристаллах InSb.

В бесщелевом полупроводнике CdxHg1-xTe (x=0.04-0.16) получены магнитополевые и деформационные зависимости фотоэлектрических, фотомагнитных, а также фототермомагнитных характеристик при раскрытии энергетической щели. При возбуждении ИК излучением обнаруживается резкий рост фотосигнала с увеличением магнитного поля либо одноосной упругой деформации. В области квантового предела проявляются осцилляции большой амплитуды, связанные с участием в рекомбинации продольных оптических фононов. В миллиметровой области спектра проявляется гигантская осцилляция фотоотклика, связанная с изменением концентрации электронов. Последнее подтверждается полевой зависимостью фотоэффекта Холла. Показано, что фототермомагнитный эффект является дифференциальным сигналом по отношению к сигналу фотопроводимости.