Методами компьютерного моделирования применительно к ГПУ кристаллам проведен анализ особенностей процессов движения скользящих дислокаций через композиционные амсамбли точечных препятствий и колеблющихся дислокаций леса. Показано, что возможность дислокаций леса совершать вынужденные колебания приводит к увеличению прозрачности композиционного ансамбля. Установлено, что при достижении амплитудой дислокационных колебаний определенного значения, зависящего от мощности точечных препятствий, также препятствия в композиционном ансамбле практически полностью утрачивают возможность оказывать сопротивление продвижению скользящих дислокаций.

Показано, что в гетероструктурах с границей раздела (001) и кристаллической решеткой типа алмаза и сфалерита полное снятие напряжений несоответствия за счет введения двух взаимно перпендикулярных семейств 60-градусных дислокаций несоответствия возможно лишь в случае одинаковых типов их винтовых составляющих. Впротивном случае требуется введение дополнительных семейств дислокаций несоответствия, что увеличивает вероятность образования пронизывающих дислокаций в эпитаксиальной пленке. При неоптимальном протекании процесса, когда вводятся два взаимно перпендикулярных семейства с противоположными типами винтовых составляющих, происходит накапливание избыточной энергии дальнодействующих сдвиговых напряжений. Примерами неоптимального введения дислокаций несоответствия является работа модифицированных дислокационных источников Франка--Рида и источников Хейгена--Шранка. Выполнено моделирование процесса релаксации и проведены экспериментальные исследования.

Ю.К. Тимошенко, В.А. Шунина. Электронные состояния йодного центра в квантовой нити хлорида серебра с краевой дислокацией. // Вестник Самарского Государственного Университета, http://ssu.samara.ru/~vestnik/est/, Серия "Физика, Математика", № 2, 2004

Инденбом В.Л., Орлов С.С.. Дислокация в анизотропной среде // Письма в ЖЭТФ, том 6, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru

Нацик В.Д.. Излучение звука дислокацией, выходящей на поверхность кристалла // Письма в ЖЭТФ, том 8, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru

Никитенко В.И., Дедух Л.М., Генделев С.Ш., Щербак Н.г.. О возможности непосредственного изучения влияния дислокаций на процессы намагничивания кристаллов иттриевого феррита-граната // Письма в ЖЭТФ, том 8, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru

Осипьян Ю.А., Федяев И.И.. О до нор ном действии дислокаций в InSb // Письма в ЖЭТФ, том 9, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru

Покровский В.Л.. Спиновые волны на дислокациях // Письма в ЖЭТФ, том 11, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru

Лифшиц И.М., Пушкаров Х.И.. Локализованные возбуждения в кристаллах с дислокациями // Письма в ЖЭТФ, том 11, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru

Каганов М.И., Нацик В.Д.. Особенности электронного торможения дислокаций в сверхпроводниках // Письма в ЖЭТФ, том 11, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru