Заславский А.Н., Огиевецкий В.И., Тыбор В.. Девятый псевдоскалярный мезон в наоушенной симметрии SU_w(6) // Письма в ЖЭТФ, том 6, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru

Гурьянов А.Н., Гусовский Д.Д. , Девятых Г.Г., Дианов Е.М., Карасик В.А., Козлов В.Б., Неуструев В.Б., Прохоров А.М.. Эффект Саньяка в волоконно-ёптическом интерферометре // Письма в ЖЭТФ, том 32, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Алексеевский Н.Е., Гусев А.В., Девятых Г.Г., Кабанов А.В., Митин А.В., Нижанковский В.И., Хлыбов Е.П.. Теплоемкость высокотемпературного сверхпроводника YBa_2Cu_3O{7-x} // Письма в ЖЭТФ, том 47, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Алексеевский Н.Е., Гусев А.В., Девятых Г.Г., Кабанов А.В., Нарожный В.Н., Нижанковский В.И., Хлыбов Е.П.. Влияние давления на теплоемкость GdBa_2Cu_3O_{7-x} // Письма в ЖЭТФ, том 48, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru

Девятов И.А., Куприянов М.Ю.. Влияние резонансного туннелирования на ВАХ туннельных SIN-переходов // Письма в ЖЭТФ, том 52, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru

Девятов И. А., Куприянов М.Ю.. Резонансное туннелирование и "Long-range proximity effect" // Письма в ЖЭТФ, том 59, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Девятов И.А., Куприянов М.Ю.. Неупругое резонансное туннелирование в S-Sm-S туннельных структурах // Письма в ЖЭТФ, том 65, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru

Исследуются процессы резонансного туннелирования в сверхпроводящих переходах малой прозрачности с различной симметрией параметра порядка электродов. В рамках формализма функций Грина выводится общая формула резонансного тока для переходов любой размерности. Для сверхпроводящих переходов с изотропным параметром порядка проведен анализ фазовой зависимости сверхтока, усредненного по множеству локализованных состояний. В 2D случае выполнен численный анализ резонансного транспорта тока в переходах с ВТСП электродами с d-симметрией параметра порядка.

В рамках кинетического уравнения рассчитываются электронные функции распределения, возникающие в металлических абсорберах сверхмалых размеров детекторов микроволнового излучения, работающих при сверхнизких температурах. Показано, что функции распределения неравновесны, существенно отличны от фермиевской и определяются соотношениями между скоростями электронд электронной, электронд фононной релаксаций и влиянием на абсорбер измерительного устройства~-- перехода сверхпроводник~-- изолятор~-- нормальный металл. Рассчитан отклик такого болометра и проведено сравнение с экспериментом.

Рассчитаны неравновесные электронные и фононные функции распределения металлического абсорбера перспективного сверхпроводникового детектора сверхмалых размеров, возникающие при действии на него микроволнового излучения. Рассчитан отклик такого детектора и показано, что в зависимости от степени неравновесности фононной подсистемы данный детектор может работать или в моде ``фотонного счетчика';или в ``болометрической';моде.