Берим С.И., Сабурова Р.В.. Нелинейная восприимчивость изинговского спинового стекла в поперечном поле // Письма в ЖЭТФ, том 54, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru

Экспериментальный поиск образования сверхтяжелого изотопа водорода 5H проводился в реакции поглощения остановившихся pi --мезонов ядрами 9Be. В двух каналах реакции 9Be(pi -,pt)X и 9Be(pi -,dd)X обнаружены пики в спектрах недостающих масс, обусловленные резонансными состояниями 5H. Параметры наиболее низколежащего состояния Er = 5.5pm 0.2 МэВ, Gamma = 5.4pm 0.5 МэВ (Er~-- резонансная энергия относительно развала на тритон и два нейтрона) указывают на то, что 5H является менее связанной системой по сравнению с 4H. Наблюдались возбужденные состояния 5H, при этом все три резонансных уровня (E1r = 10.6pm 0.3 МэВ, Gamma 1r = 6.8pm0.5 МэВ; E2r = 18.5pm0.4 МэВ, Gamma 2r = 4.8pm1.3 МэВ и E3r = 26.7pm0.4 МэВ, Gamma 3r = 3.6pm1.3 МэВ) энергетически могут распасться на пять свободных нуклонов.

С. И. Берил, В. Р. Окушко, Надэтничность как особенность российской культуры // Журнал "Социологические исследования", № 8, 2003, http://socis.isras.ru/

Экспериментально показано, что введение эрбия в структуры с квантовыми ямами GaAs / AlGaAs в процессе их выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии приводит к эффективной интердиффузии Ga и Al и диффузии Er вследствие усиленного образования вакансий, вызванного введением эрбия. Предложен механизм образования катионных вакансий, основанный на возникновении локальной деформации при введении эрбия. Показано, что эрбий взаимодействует с алюминием, и это взаимодействие вызывает образование в AlGaAs кластеров, содержащих эрбий и обогащенных алюминием.

Исследовались тонкие слои ультрадисперсного алмаза (УДА), осажденные из водной суспензии, методами оптической и рентгеновской фотоэлектронной (РФЭС) спектроскопии. Эффективная ширина запрещенной зоны, определенная по критерию 104 cm-1, для УДА с озонной очисткой составляет 3.5 eV. Широкая бесструктурная полоса фотолюминесценции (380--520 nm) связана с процессом излучательной рекомбинации, идущим через систему непрерывно распределенных энергетических уровней в запрещенной зоне алмазного нанокластера. Оптическое поглощение материала в области 250--1000 nm вызвано поглощением на разупорядоченной поверхности нанокластера, содержащей трехкоординированный углерод. На поверхности кластеров УДА, прошедших кислотную очистку, адсорбированы азотно-кислородные комплексы в виде нитрат-ионов NO3-. Отжиг в атмосфере водорода приводит к десорбции нитрат-ионов с поверхности кластеров. Детально изучена эволюция линий кислорода и азота (O1s и N1s) на РФЭС спектрах при отжиге слоя УДА. Работа была поддержана Российской исследовательской программой "Фуллерены и атомные кластеры" (проект "Пленка-2"), грантом NATO Linkage Grant HTECH LG N 973290 и частично Государственной программой "Физика твердотельных наноструктур" (грант N 99-3014).

Построена теория нелинейных TE-поляризованных волноводных мод, распространяющихся внутри симметричной планарной трехслойной структуры с линейной сердцевиной и нелинейными обкладками. Нелинейность обкладок обусловлена учетом процесса оптической экситон-биэкситонной конверсии. Получены и исследованы законы дисперсии распространяющихся волн.

Исследована технология и свойства светоизлучающих структур на основе легированных эрбием в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста слоев кремния. В процессе эпитаксии на подложках, изготовленных из выращенного методом Чохральского кремния, происходит легирование растущего слоя примесями кислорода и углерода. Это позволяет упростить процесс легирования слоя Si : Er примесями-активаторами люминесценции, исключив встраивание в ростовую камеру специального капилляра для введения их из газовой фазы. В фотолюминесцентных спектрах всех исследуемых слоев при 78 K доминирует Er-содержащий центр с длиной волны в максимуме излучения 1.542 mum. Зависимости интенсивности этой линии в исследуемых интервалах температур подложки (400--700oC) и источника примеси эрбия (740-800oC) представляют собой кривые с максимумами. Наблюдавшиеся в спектрах ФЛ линии краевой люминесценции и P-линия главным образом возбуждаются в подложке. Измеренная методом обратного резерфордовского рассеяния протонов концентрация атомов эрбия в выращенных при температуре подложки 600oC эпитаксиальных слоях характеризуется экспоненциальной зависимостью от температуры источника эрбия с энергией активации ~ 2.2 eV. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках Научной программы \glqq Новые материалы и структуры\grqq.

Рассматривается поглощение света свободными носителями заряда с участием поверхностных и объемных оптических фононов. Используются статистика Больцмана и гамильтониан электрон-фононного взаимодействия Пекара--Фрелиха для полярного слоя в рамках модели прямоугольной квантовой ямы (КЯ). Обнаружены различия в поведении вкладов в вероятность поглощения света для поверхностных и объемных мод в зависимости от ширины КЯ. Показано, что из-за различия частот объемных и поверхностных оптических колебаний линия фотон-фононного резонанса имеет сложную структуру. Исследовано влияние соседних сред на показатель поглощения света.

Изучено пространственное распределение волновых функций неспаренных электронов мелких доноров N в кристаллах SiC и мелких доноров P и As в кристаллах кремния путем исследования соответствующих кристаллов с измененным содержанием изотопов 29Si и 13C, имеющих ядерный магнитный момент. На основании настоящих данных ЭПР и ранее опубликованных исследований ДЭЯР показано, что распределение донорного электрона в SiC существенно зависит от политипа и кристаллического положения: в 4H-SiC неспаренный электрон распределен главным образом на s- и p-орбиталях Si, тогда как в 6H-SiC электрон преимущественно локализован на s-орбиталях C. При этом имеется существенное отличие в распределении электрона для донора N в гексагональной позиции, характеризующейся мелким уровнем, близким к уровню, полученному для этого материала в приближении теории эффективной массы, и для донора, занимающего квазикубическую позицию. В спектре ЭПР N в квазикубических позициях зарегистрирована сверхтонкая структура от сравнительно сильного вазимодействия с двумя первыми координационными сферами Si и C, которые однозначно идентифицированы. Вблизи N, занимающего квазикубическое положение, приближение теории эффективной массы нарушается, структура донора и распределение донорного электрона становятся низкосимметричными. В кремнии уменьшение содержания изотопа 29Si привело к существенному сужению линий ЭПР мелких доноров P и As и увеличению интенсивности сигналов ЭПР, а также к сильному удлинению времени спин-решеточной релаксации T1. В результате появилась возможность изучать эти спектры селективно, оптически возбуждая определенную область кристалла для уменьшения T1 и предотвращая насыщение сигнала ЭПР только в освещенных областях материала. Последнее обстоятельство может быть полезно при разработке материалов для квантовых компьютеров на основе доноров в кремнии и SiC. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-17605, 03-02-17645, 04-02-17632); программой РАН \glqq Спин-зависимые эффекты в твердом теле и спинтроника\grqq, МНТЦ-проектом N 2630.

Исследовано влияние кислорода на фотолюминесценцию эрбия (ФЛ Er, 1.54 мкм) в аморфном гидрогенизированном кремнии, легированном эрбием. Пленки a-Si : H<Er> были изготовлены совместным распылением мишеней Si и Er с применением технологии разложения силана на постоянном токе в магнитном поле. Концентрация кислорода изменялась путем увеличения парциального давления кислорода в камере и изменялась от 1019 до 1021 см-3. Показано, что, как в случае кристаллического кремния, легированного эрбием (c-Si<Er>), кислород оказывает влияние на интенсивность 1.54 мкм ФЛ в пленках a-Si : H<Er>. Значение концентраций эрбия и кислорода, при которых наблюдается максимальная интенсивность ФЛ Er, на 2 порядка выше, чем в кристаллическом кремнии. Увеличение интенсивности ФЛ Er при комнатной температуре и более слабая температурная зависимость ФЛ Er по сравнению с c-Si<Er,O> свидетельствуют о перспективе использования пленок a-Si : H<Er> для оптоэлектронных применений.