Методом внутренней фотоэмиссии носителей заряда в диэлектрик определены энергетические барьеры для электронов на границах раз­ дела Al-Er2O3 (3,13-3,21 эВ), Si-Er2O3 (3,29-3,35 эВ) в кремниевых металл-диэлектрик-полупроводник структурах с диэлектриком из ок­ сида эрбия.

Питанов В.С.. Перераспределение напряжения в открывающемся диоде с барьером шоттки. // Вестник Самарского Государственного Университета, http://ssu.samara.ru/~vestnik/est/, Серия "Физика, Математика", № 2, 2003

Капица С.П., Работов Н.С., Смиренкин Г.Н., Солдатов А.С., Усачев Л.Н., Ципенюк Ю.М.. Фотоделение четно-четных ядер и структура барьера деления // Письма в ЖЭТФ, том 9, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru

Киселев В.А.. Возгорание экситона в поле барьера Шоттки // Письма в ЖЭТФ, том 29, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru

Кусмарцев Ф.В., Рашба Э.И.. Ян-теллеровское нарушение симметрии автолокализационного барьера // Письма в ЖЭТФ, том 33, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Ораевский В.Н., Поезд Е.Д.. Возможность получения информации о плазменной волне за широким барьером непрозрачности // Письма в ЖЭТФ, том 35, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru

Глазман Л.И., Райх М.Э.. Резонансная кондо-прозрачность барьера с квазилокальными примесными состояниями // Письма в ЖЭТФ, том 47, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru

Глазман Л.И., Матвеев К.А.. Резонансный джозефсоновский ток через кондо-примеси в туннельном барьере // Письма в ЖЭТФ, том 49, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru

Зайцев А.В.. Зайцев А.В. Свойства "грязных" S—S*—N- и S—S*—S-структур с потенциальными барьерами на границах металлов // Письма в ЖЭТФ, том 51, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru

Невирковец И.П.. Особенности вольт-амперных характеристик многослойных туннельных структур с большой прозрачностью туннельных барьеров // Письма в ЖЭТФ, том 51, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru