Исследовано взаимодействие кремнийсодержащих минералов различных  структурных типов и состава с гидродифторидом аммония. Проведена термодинамическая оценка возможных реакций. Установлено, что практически все силикатные минералы и кварц фторируются с экзоэффектом. Взаимодействие осуществляется уже при комнатной температуре при растирании исходной смеси, продуктами реакций являются двойная соль (NH4)2SiF6?NH4F, простые фториды и фторометаллаты аммония, в которых часть фторид-ионов изоморфно замещена на гидроксид. Предложен новый фторидно-атомно-абсорбционный способ определения кремния, отличающийся простотой исполнения и экспрессностью.

Методом ЯМР 1H, 19F изучена динамика ионов фтора и аммония в кристаллах NH4Sb4F13, NH4Sb3F10 и (NH4)2Sb3F11 в диапазоне температур 105-465 K +/- 2K. Установлены виды ионных движений и оценена энергия их активации. Рассмотрена кристаллическая структура соединения (NH4)2Sb3F11. Установлено наличие фазовых переходов в соединениях NH4Sb4F13 (150-175 K) и (NH4)2Sb3F11 (410-420 K). Предположено, что значения удельной проводимости в изученном интервале температур должны возрастать при переходе от кристаллов NH4Sb4F13 к NH4Sb3F10 и (NH4)2Sb3F11. Причем,соединение (NH4)2Sb3F11 может оказаться суперионным проводником.

Представлены экспериментальные результаты исследования влияния длительности переднего фронта импульса напряжения (tau) на электрический пробой монокристаллов перхлората аммония. Эксперименты показали, что при tau1.5 mus электрическая прочность перхлората аммония не зависит от tau. Показано, что электрический пробой перхлората аммония происходит в результате ударного размножения электронов. Оценены коэффициент ударного размножения электронов от электрического поля и диаметр сквозного канала, образующегося в перхлорате аммония при электрическом пробое.

Обнаружены акустические аномалии в персульфате аммония в температурном интервале (395-409) K. Они свидетельствуют о последовательности двух структурных перестроек в данном веществе, предшествующих его термическому разложению до пиросульфата аммония. PACS: 43.90.+v

Для выяснения возможности повышения эффективности как химической, так и электронной пассивации исследовались свойства поверхности GaAs, сульфидированной растворами неорганических сульфидов (Na2S и (NH4)2S ) в различных амфипротонных растворителях (вода, спирты). Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и фотолюминесценции показано, что эффективность как химической, так и электронной пассивации поверхности GaAs возрастает с уменьшением диэлектрической проницаемости используемого растворителя. Степень этого возрастания в растворах сульфида сильного основания (Na2S) выше, чем в растворах сульфида слабого основания ((NH4)2S ).

Методами рентгеновской фотоэлектронной и рамановской спектроскопии изучались химический состав и положение поверхностного уровня Ферми в n- и p-GaAs (100) при пассивации в спиртовых растворах сульфида аммония. Показано, что сульфидирование GaAs приводит к снижению как количества оксидов на поверхности и к формированию на ней сульфидного покрытия, так и к уменьшению приповерхностного барьера; при этом в n-GaAs поверхностный уровень Ферми смещается в направлении зоны проводимости, а в p-GaAs--- в направлении валентной зоны. Установлено, что по мере уменьшения диэлектрической проницаемости сульфидного раствора возрастают как константа скорости реакции формирования сульфидов на поверхности, так и величина смещения поверхностного уровня Ферми; при этом смещение в n-GaAs составляет 0.53 эВ, а в p-GaAs 0.27 эВ при пассивации в растворе сульфида аммония в трет-бутаноле. Предложена модель, объясняющая эти экспериментальные результаты на основе учета реакционной способности сульфид-иона в растворе.

Козленко Д.п. Нейтронографическое исследование структурных изменений в иодиде аммония ND4J при высоких давлениях // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 92-93

Ширшова Н.в., Миронов В.и. Изучение условий осажденных полиуранатов аммония // Научная сессия МИФИ-2003. Т.8 Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физическая химия растворов. Ультрадисперсные (нано-) материалы, стр. 250

Тихомирова Г.В. Электропроводность галогенидов аммония и фуллерена при высоких давлениях: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07. - M, 2005.