Поиск публикаций Научные конференции и семинары Новости науки Научная сеть
Найдено научных статей и публикаций: 7   
1.

Samsung Galaxy A3 не включается (публикация автора на scipeople)   

Сергей , 2019
... ли сразу паниковать или Samsung Galaxy A3 можно восстановить ...
2.

Е-т-фазовая диаграмма релаксорного сегнетоэлектрика магнониабата свинца в спектрах рассеяния мандельштама--бриллюэна     

С. Г. Лушников, Дж.-Х. Ко, С. Коджима - Письма в ЖЭТФ , 2004
С. Г. Лушников, Дж.-Х. Ко, С. Коджима. Е-Т-фазовая диаграмма релаксорного сегнетоэлектрика магнониабата свинца в спектрах рассеяния Мандельштама--Бриллюэна // Письма в ЖЭТФ, том 79, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru
3.

Нестабильность распределения атомных ступеней на Si(111) при субмонослойной адсорбции золота при высоких температурах     

С. С. Косолобов, С. А. Цонг, Л. И. Федина, А. К. Гутаковский, А. В. Латышев - Письма в ЖЭТФ , 2005
С. С. Косолобов, С. А. Цонг, Л. И. Федина, А. К. Гутаковский, А. В. Латышев. Нестабильность распределения атомных ступеней на Si(111) при субмонослойной адсорбции золота при высоких температурах // Письма в ЖЭТФ, том 81, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru
4.

Метод определения заряда ловушек на интерфейсах тонкопленочной структуры металл/сегнетоэлектрик/металл     

Делимова Л., Грехов И., Машовец Д., Шин С., Коо Ю.-М., Ким С.-П., Парк Я. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 2006
... была поддержана Samsung Advanced Institute of Technology ...
5.

Эффекты одноэлектронной зарядки втуннельной структуре наметаллическом кластере     

Погосов В.В., Васютин Е.В., Курбацкий В.П., Коротун А.В. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 2006
Погосов В.В., Васютин Е.В., Курбацкий В.П., Коротун А.В. Эффекты одноэлектронной зарядки втуннельной структуре наметаллическом кластере // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 10, Стр. 1849
6.

Новый элемент памяти накремниевых нанокластерах вдиэлектрике свысокой диэлектрической проницаемостью ZrO2 дляэлектрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства     

Гриценко В.А., Насыров К.А., Гриценко Д.В., Новиков Ю.Н., Асеев А.Л., Ли Д.Х., Ли Д.-В., Ким Ч.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Гриценко В.А., Насыров К.А., Гриценко Д.В., Новиков Ю.Н., Асеев А.Л., Ли Д.Х., Ли Д.-В., Ким Ч.В. Новый элемент памяти накремниевых нанокластерах вдиэлектрике свысокой диэлектрической проницаемостью ZrO2 дляэлектрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 748
7.

Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N) наGaAs(001) синтенсивной фотолюминесценцией вблизи 1.3 мкм     

Шашкин В.И., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Гапонова Д.М., Хрыкин О.И., Мурель А.В., Востоков Н.В., Kim Taek, Park Yong-Jo - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Шашкин В.И., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Гапонова Д.М., Хрыкин О.И., Мурель А.В., Востоков Н.В., Kim Taek, Park Yong-Jo Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N) наGaAs(001) синтенсивной фотолюминесценцией вблизи 1.3 мкм // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 455