В алмазной камере высокого давления измерена зависимость температуры сверхпроводящего перехода в TiD0.74 от давления до 30 GPa. Обнаружено, что при давлениях, соответствующих переходу в фазу высокого давления zeta, дейтерид TiD0.74 становится сверхпроводником с температурой перехода, возрастающей от 4.17 до 4.43 K в интервале P=14-30 GPa. Экстраполированное к атмосферному давлению значение Tc(0)=4.0 K значительно ниже ранее измеренной температуры сверхпроводящего перехода (Tc=5.0 K) в метастабильном состоянии, получаемом как результат закалки TiD0.74 под давлением. Предполагается, что значительное отличие экстраполированного значения от температуры сверхпроводящего перехода в метастабильном состоянии после закалки под давлением обусловлено фазовым переходом на пути из области стабильности zeta-фазы под давлением в область метастабильного состояния при атмосферном давлении.

Определены пороговые параметры дефекта (дефекта массы и относительного изменения силовых констант) для образования локальных колебаний в ГЦК кристалле с примесью замещения и исследованы характеристики локальных колебаний. Изучена зависимость от параметров дефекта частоты локальных колебаний и скорости затухания их амплитуды с расстоянием от примеси. Вычислены частоты и интенсивности локальных колебаний атомов первой координационной сферы примеси, образующих вместе с примесным атомом дефектный кластер. Работа выполнена при поддержке гранта #2.4/165 ("USKO") ГКНТ Украины.

В стационарных условиях оптической ориентации исследовано распределение спиновой плотности в гетероструктуре GaAs/AlGaAs. Дан подробный анализ динамики и релаксационных процессов, ответственных за установившуюся пространственную неоднородность спиновой ориентации. Определены концентрации акцепторной примеси в разных областях неоднородно легированного арсенида галлия. Концентрации определялись по временам спиновой релаксации, измеренным методом оптической ориентации. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований.