Климов В.В.. Спонтанное излучение атомного осциллятора, расположенного вблизи идеально проводящей конической поверхности // Письма в ЖЭТФ, том 68, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru

Тайченачев А.В., Тумайкин А.М., Юдин В.И.. Об изменении знака субнатурального нелинейного резонанса за счет спонтанного переноса когерентности // Письма в ЖЭТФ, том 69, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru

Прудников О.Н., Тайченачев А.В., Тумайкин А.М., Юдин В.И.. Новая сила трения, обусловленная спонтанным световым давлением // Письма в ЖЭТФ, том 70, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru

Высоцкий В.И.. Возможно ли управление спонтанным распадом долгоживущего состояния изотопа $^{119m}$Sn? // Письма в ЖЭТФ, том 70, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru

Ткаля Е.В.. О вероятности спонтанного излучения в диэлектрической среде для $M1$-перехода. Распад $^{229m}$Th($3/2^+,3.5 pm 1.0$ эВ) // Письма в ЖЭТФ, том 71, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru

Рассмотрено глобальное фазовое поведение смесей молекул Af и Bf, каждая из которых несет на себе f функциональных групп типа A и B, соответственно, причем эти последние способны образовывать термообратимые химические связи. В отличие от традиционного подхода, основанного на рассмотрении бесконечного кластера (БК) лабильных связей, возникающего в таких системах при определенных условиях, на решетке Бете (то есть в приближении деревьев Кэли), мы учитываем также вклад в термодинамику мезоскопически циклизованных фрагментов БК. В рамках развитого нами приближения мезоскопической циклизации, основанного на представлении о спонтанном нарушении тождественности молекул при образовании БК, показано, что указанный вклад конечен. Построены фазовые диаграммы рассматриваемых систем. Специфической для нашего приближения чертой этих фазовых диаграмм является наличие точки равных концентраций, где сосуществуют две жидкие фазы, одна из которых содержит БК термообратимых связей.

В рамках классической электродинамики получена формула для скорости спонтанного излучения молекул и атомов в произвольном открытом резонаторе в приближении слабой связи с учетом поглощения или усиления излучения веществом резонатора. Предложенная формула хорошо согласуется с данными по люминесценции микрокапель. Предсказан эффект подавления скорости спонтанного резонансного излучения активной средой лазера.

На основе численного решения уравнений Ландау--Лифшица и магнитостатики проанализированы распределения намагниченности пленочного симметричного магнитного наноконтакта для противомагнитных ферромагнитных берегов в зависимости от магнитных и геометрических факторов. Обнаружена неустойчивость симметричной магнитной конфигурации, когда доменная граница типа ``head-to-head', разделяющая области с противоположными ориентациями намагниченности, находится в центре наноконтакта. Неустойчивость возникает тогда, когда константа одноосной магнитной анизотропии достигает некоторого критического значения Kc, ниже которого доменная граница спонтанно выходит из центра наноконтакта. Переход из симметричного состояния (граница в центре) в асимметричное может быть непрерывным (2-го рода) или дискретным (1-го рода) в зависимости от геометрических и физических параметров наноконтакта (отношение длины к ширине, константа анизотропии, намагниченность насыщения). Построена фазовая диаграмма в переменных: длина наноконтакта~-- константа анизотропии, разделяющая симметричную и асимметричную магнитные конфигурации системы. Характерной чертой фазовой диаграммы является наличие на ней трикритической точки.

Исследованы особенности эффекта близости в SF-структурах. Показано, что минимум критической температуры SF-бислоя, связанный с осцилляциями наведенного сверхпроводящего параметра порядка в ферромагнетике, имеет место, когда толщина ферромагнитного слоя близка к четверти периода пространственных осцилляций. Обнаружено возникновение спонтанного вихревого состояния в сверхпроводнике, связанного с близостью доменной магнитной структуры ферромагнетика и приводящего к заметным магнеторезистивным эффектам.

Развит общий подход к задаче о спонтанном переносе светоиндуцированной анизотропии в схеме комбинационного рассеяния резонансного эллиптически поляризованного света. Обнаружено, что в зависимости от типа перехода (a) rightarrow (b), возбуждаемого полем, стационарное распределение атомов по подуровням конечного уровня (c), связанного с возбужденным уровнем только спонтанным переходом (b) to (c), является либо изотропным и не зависящим от параметров поля, либо анизотропным. Причем в последнем случае анизотропия определяется как поляризацией поля, так и (при достаточно больших значениях моментов уровней) его отстройкой и интенсивностью.