Найдено научных статей и публикаций: 673
61.
Инверсная населенность в парамагнитном кристалле при тепловом возбуждении спин-системы с помощью импульсного магнитного поля
Инверсная населенность в парамагнитном кристалле при тепловом возбуждении спин-системы с помощью импульсного магнитного поля
Вайсфельд М.П., Имамутдинов Ф.С., Хасанов А.Х.. Инверсная населенность в парамагнитном кристалле при тепловом возбуждении спин-системы с помощью импульсного магнитного поля // Письма в ЖЭТФ, том 34, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru
62.
Когерентное усиление ультракороткого импульса в трехуровневой среде без инверсии населенностей
Когерентное усиление ультракороткого импульса в трехуровневой среде без инверсии населенностей
Кочаровская О.А., Ханин Я.И.. Когерентное усиление ультракороткого импульса в трехуровневой среде без инверсии населенностей // Письма в ЖЭТФ, том 48, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru
63.
Локализация атомов в резонансном неоднородно поляризованном поле за счет когерентного пленения населенностей
Локализация атомов в резонансном неоднородно поляризованном поле за счет когерентного пленения населенностей
Тайченачев А.В., Тумайкин A.M., Ольшаный М.А., Юдин В.И.. Локализация атомов в резонансном неоднородно поляризованном поле за счет когерентного пленения населенностей // Письма в ЖЭТФ, том 53, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru
64.
Инверсия населенности и усиление дальнего ик излучения при циклотронном резонансе горячих тяжелых дырок в, германии
Инверсия населенности и усиление дальнего ик излучения при циклотронном резонансе горячих тяжелых дырок в, германии
Воробьев Л.Е.. Инверсия населенности и усиление дальнего ИК излучения при циклотронном резонансе горячих тяжелых дырок в, германии // Письма в ЖЭТФ, том 58, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru
65.
Вынужденное резонансное рассеяние световых волн в лазерных кристаллах с инверсией населенностей
Вынужденное резонансное рассеяние световых волн в лазерных кристаллах с инверсией населенностей
Антипов О.Л., Беляев С.И., Кужелев А.С.. Вынужденное резонансное рассеяние световых волн в лазерных кристаллах с инверсией населенностей // Письма в ЖЭТФ, том 63, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru
66.
Гигантская инверсия населенности горячих электронов в гетероструктурах типа GaAs/AlAs с квантовыми ямами
Гигантская инверсия населенности горячих электронов в гетероструктурах типа GaAs/AlAs с квантовыми ямами
Алешкин В.Я., Андронов А.А.. Гигантская инверсия населенности горячих электронов в гетероструктурах типа GaAs/AlAs с квантовыми ямами // Письма в ЖЭТФ, том 68, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru
67.
Внутризонная инверсия населенности и усиление ик излучения при инжекции носителей заряда в квантовые ямы и квантовые точки
Внутризонная инверсия населенности и усиление ик излучения при инжекции носителей заряда в квантовые ямы и квантовые точки
Воробьев Л.Е.. Внутризонная инверсия населенности и усиление ИК излучения при инжекции носителей заряда в квантовые ямы и квантовые точки // Письма в ЖЭТФ, том 68, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru
68.
Инверсия населенности и усиление ик излучения при межподзонных переходах электронов и резонансных оже-процессах в квантовых яма
Инверсия населенности и усиление ик излучения при межподзонных переходах электронов и резонансных оже-процессах в квантовых яма
Воробьев Л.Е.. Инверсия населенности и усиление ИК излучения при межподзонных переходах электронов и резонансных оже-процессах в квантовых яма // Письма в ЖЭТФ, том 71, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru
69.
Нелинейное резонансное вращение плоскости поляризации в условиях когерентного пленения населенности
Нелинейное резонансное вращение плоскости поляризации в условиях когерентного пленения населенности
Исследован эффект нелинейного резонансного вращения плоскости поляризации электромагнитного излучения в условиях когерентного пленения населенности в парах 87Rb на переходе F=2arrow F'=1 линии D1 в широком диапазоне изменения параметров эксперимента. Обнаружена немонотонная зависимость угла поворота от интенсивности лазерного излучения и приложенного магнитного поля. Обсуждается влияние оптической откачки населенности на уровень F=1. Экспериментально продемонстрировано двукратное увеличение угла поворота плоскости поляризации при компенсации откачки.
70.
Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия
Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия
В структурах Si/Si1-xGex:Er/Si достигнута инверсная населенность уровней энергии ионов Er3+ при передаче энергии электронного возбуждения от полупроводниковой матрицы. Анализ кинетик фотолюминесценции на длине волны 1.54 мкм свидетельствует о переводе в возбужденное состояние до 80% ионов, что в совокупности с высокой интенсивностью свечения демонстрирует перспективность структур такого типа для создания лазера, совместимого с планарной кремниевой технологией.