Бланк А.Ю., Зиновьев Н.Н., Ковалев Д.И., Иванов Л.П., Ярошецкий И.Д.. Кинетика захвата экситонов на мелкий примесный центр // Письма в ЖЭТФ, том 52, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru

Муравьев А.В., Павлов С.Г., Орлова Е.Е., Шастин В.Н.. Эффекты мелких акцепторов в лазере на горячих дырках германия // Письма в ЖЭТФ, том 59, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru

Жданова Н.Г., Каган М.С., Ландсберг Е.Г., Левкин Л.В., Петрищев В.В.. Ионизация мелких примесей электрическим полем в случайном кулоновском потенциале // Письма в ЖЭТФ, том 62, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru

Гавриленко В.И., Ерофеева И.В., Короткое А.Л., Красильник З.Ф., Кузнецов О.А., Молдавская М.Д., Никоноров В.В., Парамонов Л.В.. Мелкие акцепторы в напряженных многослойных гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами // Письма в ЖЭТФ, том 65, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru

Гордон А.Л., Мелков Г.А., Серга А.А., Славин А.Н., Тиберкевич В.С., Багада А.В.. Обращение волнового фронта линейных сигналов и солитонов магнитостатических волн // Письма в ЖЭТФ, том 67, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru

Приведены результаты исследований температурной зависимости остаточной поляризации отрицательных мюонов в кристаллическом кремнии с примесью германия (9cdot1019 {rm см}-3) и бора (4.1cdot1018, 1.34cdot1019, 4.9cdot1019 {rm см}-3). Установлено, что аналогично образцам кремния n- и p-типа с концентрациями примесей до sim1017 {rm см}-3, в кремнии с высокой (9cdot1019 {rm см}-3) концентрацией примеси германия скорость релаксации nu магнитного момента muAl-акцептора зависит от температуры как nusim Tq, q3 при T=(5-30) K. В образцах вырожденного кремния в данном диапазоне температур наблюдается увеличение абсолютного значения скорости релаксации и ослабление ее температурной зависимости. На основе полученных экспериментальных данных сделан вывод о том, что в вырожденном кремнии при Tlesssim30 K существенный вклад в релаксацию магнитного момента мелкого акцепторного центра вносит спин-обменное рассеяние свободных носителей заряда. Получены оценки величины эффективного сечения спин-обменного рассеяния дырок (sigma_h) и электронов (sigma_e) на акцепторном центре Al в Si: sigma_hsim10-13 {rm см}2, sigma_esim8cdot10-15 {rm см}2 при концентрации акцепторной (донорной) примеси na(nd)sim4cdot1018 {rm см}-3.

Получен спектр спонтанной терагерцовой электролюминесценции в условиях вблизи порога пробоя мелкого акцептора (Ga) в германии. Спектры излучения измерялись методом фурье-спектроскопии при температуре sim5.5{-}5.6 K. В спектре излучения наблюдаются узкие линии излучения с максимумами при sim1.99 TГц (8.2 мэВ) и sim2.36 ТГц (9.7 мэВ), соответствующие оптическим переходам неравновесных дырок в основное состояние примесного центра из возбужденных состояний примеси. Видна также широкая линия с максимумом при sim 3.15 ТГц (13 мэВ), относящаяся к переходам дырок из валентной зоны на основное состояние примеси. При повышении напряженности электрического поля вклад переходов неравновесных дырок из состояний в валентной зоне возрастает. При этом в спектре излучения начинают проявляться также оптические переходы неравновесных дырок между подзонами валентной зоны. Интегральная мощность терагерцового излучения составляет sim17 нВт при 1 Вт подводимой электрической мощности.

Показано, что в плоском канале безграничной протяженности, заполненном идеальной жидкостью со свободной поверхностью, наряду с бегущими могут существовать стоячие волны, локализованные в области динамического включения --- массивного штампа на упругом основании. Амплитуду бегущих волн можно обратить в нуль выбором частоты колебаний штампа. Возникновение стоячих волн обусловлено наличием смешанного спектра собственных частот колебаний, т. е. дискретного спектра на оси непрерывного. Впервые исследованы нелинейные эффекты, сопровождающие процесс образования стоячих волн на мелкой воде. В частности, найдена зависимость массы штампа, необходимой для возникновения ловушечных мод, от его геометрических параметров и амплитуды колебаний. Показано, что нелинейные эффекты приводят к возникновению бегущих волн с двойной частотой в следующем порядке малости по амплитуде колебаний. Амплитуда этих бегущих волн, так же как и в нулевом приближении, может быть обращена в нуль выбором геометрии штампа.

Предложена электродинамическая модель, описывающая дисперсионные свойства поверхностной магнитостатической волны в структуре феррит / сверхпроводник. На основе модели разработана новая методика определения сверхвысокочастотного поверхностного сопротивления RS сверхпроводниковых пленок в магнитном поле. Вычисленные значения согласуются с результатами, полученными методом Таубера, и составляют RS=0.20-1.96 mOmega. На структурах YIG / YBCO получен регулируемый набег фазы волны, составивший около 1.5pi при изменении глубины проникновения 2.0-0.8 mum для пленки YBCO.

Рассмотрена модель неравновесного фазового перехода полупроводник--металл, происходящего в переходных металлах с узкими зонами за счет саморазогрева. Показано, что саморазогрев может приводить к уменьшению ширины запрещенной зоны и, как следствие, к увеличению тока. Найдены параметры системы, при которых может иметь место бистабильное поведение.