Исследуются процессы ионизации мелких акцепторных центров (АЦ) в кремнии. Примесные атомы muAl в исследуемых образцах кристаллического кремния с примесью фосфора (1.6cdot1013, 2.7cdot1013 и 2.3cdot1015~см-3) и бора (1.3cdot1015~см-3) создавались путем имплантации отрицательных мюонов. Установлено, что как в p-типа кремнии, так и в кремнии n-типа с концентрацией примеси lesssim1015~см-3, основным механизмом ионизации акцепторной примеси Al при T>45~K является тепловая ионизация. Скорость тепловой ионизации АЦ Al в Si изменяется от sim105 до sim106~с-1 в интервале температур 45-55~K.

Представлены результаты исследования влияния одноосного давления на поведение мелких акцепторных центров алюминия в кремнии. Примесные атомы mumu{ }Al в образце кристаллического кремния с примесью фосфора (1.6 cdot1013 см-3~-- первый образец, 1.9cdot1013 см-3~-- второй образец) создавались путем имплантации отрицательных мюонов. Поляризация мюонов была исследована в поперечном спину мюона магнитном поле величиной 2.5 кГс в диапазоне температур 10--300 К. Направление выбранной оси кристалла ([111] в первом образце, [100]~-- во втором), внешнего магнитного поля и начальной поляризации спина мюона были взаимноперпендикулярны. Обнаружено, что внешнее давление, приложенное вдоль указанной оси кристалла, приводит к изменению как абсолютной величины скорости релаксации магнитного момента акцепторного центра, так и характера ее температурной зависимости.

Исследована возможность получения резин, стойких к взрывной декомпрессии, на основе гидрированного бутадиен-нитрильного каучука \glqq Тербан\grqq с использованием комбинации технического углерода детонационного синтеза УДС-с (от 0.14 до 27.10 wt.%) и наполнителей с разной дисперсностью и анизометричностью. Влияние УДС-с проявляется в alpha-процессах релаксации, связанных с сегментальной подвижностью, и в медленных физических lambda-процессах релаксации упорядоченных микроблоков. Применение УДС-с в комбинации с наполнителями различного состава и структуры позволило разработать новый класс материалов, сохраняющих высокоэластические свойства и одновременно стойкость к взрывной декомпрессии.

Организация территориальной системы экологического мониторинга в строительной деятельности: Автореф.дис. ...канд.техн.наук:11.00.11 / В. Ф. Стойков; Моск.гос.строит.ун-т. - М., 2000. - 18с.

Ананьин В.м., Калашников А.н., Калин Б.а., Чернов И.и. Формирование термически стойких гелий-вакансионных комплексов в сплавах замещения // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.4 Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Топливо и энергетика. Физикохимия и технология неорганических материалов. Новые материалы и химические продукты. Производственные технологии, стр. 32-33

Запечников С.в. Управление ключами прикладных программ в системе криптографической защиты информации, стойкой к компрометации части ключей // Научная сессия МИФИ-2001. 8 Всероссийская научно-практическая конференция. Проблемы информационной безопасности в системе высшей школы, стр. 38-39

Никифоров А.ю. Методологический и технологический базис создания радиационно стойких интегральных преобразователей информации // Научная сессия МИФИ-2002. Т.1 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы, стр. 134-135

Шульга А.в. Совместимость быстрозакаленных коррозионно-стойких сталей с литием // Научная сессия МИФИ-2002. Т.9 Молекулярно-селекивные и нелинейные явления и процессы. Перспективные наукоемкие технологии. Физика, химия и компьютерная разработка материалов. Физическая химия растворов. Ультрадисперсные (нано-)материалы, стр. 99-100

Андреев В.а., Гордеев В.а., Гребинник В.г., Грицай К.и., Гусев К.е., Демидов В.с., Демидова Е.в., Дугинов В.н., Жуков В.а., Елкин Ю.в., Ивочкин В.г., Карасев Е.м., Комаров Е.н., Мамедов Т.н., Мирохин И.в., Поярков А.в., Соколов А.ю., Стойков А.в., Шкуренко Ю.п., Щеглов Ю.а., Щербаков Г.в., Хлопов М.ю., Яновский В.в. Поиск безнейтринного распада мюона: первые результаты эксперимента ФАМИЛОН // Научная сессия МИФИ-2002. 3-я Всероссийская научно-техническая конференция. Университеты России - фундаментальные исследования. Физика элементарных частиц и атомного ядра, стр. 17-18

Агаханян Т.м. Проектирование радиационно-стойких электронных усилителей на аналоговых интегральных микросхемах // Научная сессия МИФИ-2004. Т.1 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы, стр. 152-153