Найдено научных статей и публикаций: 48
11.
Двумерный газ дырок в одномерной сверхрешетке
Квон З.Д., Кольцов Б.Б., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н.. Двумерный газ дырок в одномерной сверхрешетке // Письма в ЖЭТФ, том 33, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru
12.
Аномальное магнитосопротивление в двумерном дырочном газе
Гусев Г.М., Квон З.Д., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н., Панкин A.M.. Аномальное магнитосопротивление в двумерном дырочном газе // Письма в ЖЭТФ, том 35, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru
13.
Плазменное отражение валентных электронов в германии и кремнии
Макаров О.А., Неизвестный И.Г., Синюков М.П.. Плазменное отражение валентных электронов в германии и кремнии // Письма в ЖЭТФ, том 37, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru
14.
Свойства двумерного дырочного газа у поверхности кремния в сверхсильных магнитных полях
Гусев Г.М., Квон З.Д., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н., Черемных П.А.. Свойства двумерного дырочного газа у поверхности кремния в сверхсильных магнитных полях // Письма в ЖЭТФ, том 39, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru
15.
Комбинационное рассеяние света на поверхностных колебаниях кристаллов германия
Гайслер В.А., Неизвестный И.Г., Синюков М.П., Талочкин А.Б.. Комбинационное рассеяние света на поверхностных колебаниях кристаллов германия // Письма в ЖЭТФ, том 45, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru
16.
Комбинационное рассеяние света на "свернутых" ТА- и LA-фононах в Si-Si_{0,5}Ge_{0,5} сверхрешетках
Талочкин А.Б., Марков В.А., Неизвестный И.Г., Пчеляков О.П., Синюков М.П., Стенин С.И.. Комбинационное рассеяние света на "свернутых" ТА- и LA-фононах в Si-Si_{0,5}Ge_{0,5} сверхрешетках // Письма в ЖЭТФ, том 50, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru
17.
Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe --Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Ge
Исследованы вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фото-ЭДС при T= 4.2 и 300 К в ненапряженных структурах с квантовыми точками (КТ) германия в системе~-- GaAs/ZnSe/КТ--Ge/ZnSe/Al. Наблюдаемые при комнатной температуре без освещения особенности типа ``кулоновской лестницы' на вольт-амперной характеристике обусловлены кулоновским взаимодействием электронов при резонансном туннелировании через собственные уровни в КТ. Особенности в спектрах фото-ЭДС связываются с поглощением излучения в системе дискретных уровней КТ. На основе экспериментальных данных построена энергетическая зонная диаграмма структуры.
18.
Накопление заряда в квантовых точках Ge в транзисторной структуре GaAs/ZnSe/KT--Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии получена и исследована транзисторная структура GaAs/ZnSe/КТ--Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором из квантовых точек германия. Показано, что при освещении светом с длиной волны более 0.5 мк наблюдается положительное, а при меньших длинах волн отрицательное изменение тока канала, связанное с зарядкой квантовых точек. Измерения релаксационных кривых после выключения освещения показывают, что спад тока продолжается в течение от десятков секунд вплоть до нескольких часов в зависимости от температуры образца. Указанные изменения тока канала и релаксационных кривых объясняются на основе трех типов переходов в квантовых точках при поглощении излучения с привлечением изменения состояния канала вблизи гетерограницы от обеднения до инверсии в результате накопления заряда на квантовых точках.
19.
Слово и музыка в неизвестной пьесе Дебюсси “Братья по искусству”
The unfamiliar to Russian reader attempt of a dramatical piece presents Debussy in the new quality of a dramatist. Being written in 1898-1900 and dedicated to unusual for Debussy social theme relationaships of the artist and the public, the text of 25 pages not only anticipates Debussy as a critic, but also gives a key to art images he was attracted to in that time. The main figure of the piece an artist Maltravers is characterized through some autobiographical features, an English critic Redburn is portrayed en homage a Whistler. Drawing in his pamphlet Utopian artistic society, Debussy pays a contribution to the polemic what is the art initialized by Whistler and Mallarmet
20.
Экспериментальная установка для квантовой криптографии с одиночными поляризованными фотонами
Приводятся описание и результаты первых экспериментов на установке для квантовой криптографии с одиночными фотонами. Передача ключа осуществлялась импульсными полупроводниковыми лазерами на основе кодирования поляризованных состояний фотонов в двух альтернативных базисах, не ортогональных друг другу. В качестве детекторов одиночных фотонов использовались специально разработанные высокоскоростные детекторы на основе кремниевых лавинных фотодиодов C30902S. При тактовой частоте повторения лазерных импульсов 100 kHz и среднем числе фотонов в импульсе около 0.2 получена скорость генерации ключа ~4 bit/s. Количество ошибок в ключе не превышало 1%.