Обсуждается взаимозависимость плотности сверхпроводящего конденсата rho s(Tto0) и критической температуры сверхпроводящего перехода Tc в недодопированных ВТСП системах. Показано, что линейная связь rho s(0) и Tc, наблюдавшаяся в ряде экспериментов, может быть легко объяснена в рамках обычной модели Бардина--Купера--Шриффера (БКШ) без привлечения каких-либо экзотических моделей сверхпроводимости.

Изменение рода магнитного фазового перехода в CoS2 под давлением, обнаруженное в работе~[1], объясняется с помощью обменно-стрикционной модели ферромагнетика, учитывающей магнитоупругие взаимодействия первого и второго порядков. Показано, что эта модель дает удовлетворительное количественное объяснение большинству экспериментальных фактов, наблюдаемых в CoS2. Проведен расчет диаграммы магнитного состояния для CoS2 в окрестности трикритической точки в пространстве переменных: температура (T), давление (P), магнитное поле (H). Обсуждается критическое поведение термодинамических величин вблизи точек трикритических крыльев фазовой диаграммы.vspace*{-2mm}

С помощью детальных первопринципных расчетов электронной структуры кристаллов alpha-железа на изотерме P(V,T=0) обнаружено существование узкого интервала удельных объемов, при которых dP/dV>0. По расчетам данная аномалия имеет место при давлениях от -3 до -5 ГПа и вызвана интенсивной перестройкой энергетического спектра кристалла, сопровождающейся почти одновременным возникновением восьми электронных топологических переходов.

Представлены результаты исследования влияния одноосного давления на поведение мелких акцепторных центров алюминия в кремнии. Примесные атомы mumu{ }Al в образце кристаллического кремния с примесью фосфора (1.6 cdot1013 см-3~-- первый образец, 1.9cdot1013 см-3~-- второй образец) создавались путем имплантации отрицательных мюонов. Поляризация мюонов была исследована в поперечном спину мюона магнитном поле величиной 2.5 кГс в диапазоне температур 10--300 К. Направление выбранной оси кристалла ([111] в первом образце, [100]~-- во втором), внешнего магнитного поля и начальной поляризации спина мюона были взаимноперпендикулярны. Обнаружено, что внешнее давление, приложенное вдоль указанной оси кристалла, приводит к изменению как абсолютной величины скорости релаксации магнитного момента акцепторного центра, так и характера ее температурной зависимости.

Дано теоретическое объяснение двухпетлевого температурного гистерезиса интегральной интенсивности комбинационного рассеяния света для линии с частотой 50 см-1 в монокристалле сверхпроводящего оксида Ba1-xKxBiO3.

Приводятся результаты низкотемпературных измерений температурных зависимостей сопротивления и вольт-амперных характеристик двумерных решеток переходов сверхпроводник~-- нормальный металл~-- сверхпроводник (SNS). Обнаружено, что в двумерных решетках SNS-переходов: 1)~изменение энергетического спектра на масштабах порядка энергии Таулеса наблюдается даже в случае, когда тепловое размытие много больше энергии Таулеса для одного SNS-перехода; 2)~проявление субгармонической щелевой структуры с большими номерами гармоник возможно даже при условии, что длина энергетической релаксации меньше значения, необходимого для реализации многократного андреевского отражения независимо в каждом SNS-переходе. Представленные результаты указывают на наличие сихронизации большого количества SNS-переходов. Обсуждается возможный механизм, ответственный за наблюдаемые особенности в поведении двумерных решеток SNS-переходов.

Исследована кинетика спин-ориентированного газа межъямных экситонов в GaAs/AlGaAs двойных квантовых ямах (n{-}i{-}n гетероструктуры). Изучалась температурная зависимость времени спиновой релаксации экситонов, у которых фотовозбужденные электрон и дырка пространственно разделены между соседними квантовыми ямами. Для этого использовалось импульсное, циркулярно-поляризованное резонансное фотовозбуждение внутриямных, 1sHH-экситонов с помощью фемтосекундного перестраиваемого по частоте лазера. Обнаружено резкое увеличение скорости спиновой релаксации межъямных экситонов при изменении температуры в интервале от 2 до 3.6 К. Найденное явление связывается с косвенным доказательством когерентности коллективной фазы межъямных экситонов при температурах ниже критической.

Рассматривается динамика двух однонаправленно связанных систем с дискретным временем. Проводится сопоставление поведения связанных логистических отображений с динамикой отображений, полученных с помощью процедуры сечения Пуанкаре из связанных систем с непрерывным временем, находящихся в режиме фазовой синхронизации. Показано, что тип поведения связанных отображений, возникающий с уменьшением параметра связи при разрушении полной синхронизации, который считался раньше асинхронным, соответствует фазовой синхронизации потоковых систем и должен рассматриваться как синхронный режим. Предложена количественная мера степени синхронности взаимодействующих систем с дискретным временем.

Исследована температурная зависимость электросопротивления rho (T) в двумерном допированном антиферромагнетике для различных форм динамической спиновой восприимчивости chi(mathbf{q},omega )~-- с учетом затухания и перенормировки спектра магнитных возбуждений, и для так называемых сильно затухающих магнонов. Кинетическое уравнение строится на основе спин-фермионной модели рассеяния носителей на спиновых флуктуациях. Сильно зависящая от температуры анизотропия рассеяния носителей учитывается с помощью семимоментного приближения для неравновесной функции распределения. Показано, что расчет электросопротивления на основе самосогласованного выражения для chi (mathbf{q},omega ) с затуханием качественно воспроизводит экспериментальное аномальное поведение rho (T) в высокотемпературных сверхпроводниках. При этом широко используемое для chi (mathbf{q},omega ) приближение ``сильно затухающих магнонов' в области высоких температур является некорректным.

Измерена теплоемкость манганита {rm Sm0.55Sr0.45MnO3} в окрестности ферромагнитного фазового перехода в сильных магнитных полях до 15 Тл. Предсказано и экспериментально подтверждено аномальное критическое поведение ферромагнетика {rm Sm0.55Sr0.45MnO3} в магнитном поле, проявляющееся в том, что в полях до 4 Тл поле благоприятствует флуктуациям, при этом аномалия теплоемкости становится все более острой с полем, принимая lambda -образный вид, а выше 4 Тл поведение становится классическим~-- поле подавляет флуктуации, размывая пик теплоемкости. Гистерезис температуры перехода при измерениях в режимах нагрева/охлаждения, составлявший в нулевом поле около 15 К, постепенно сужается, полностью исчезая в поле 4 Тл. Полученные результаты объясняются в представлениях о конкуренции гистерезиса и флуктуаций магнитного параметра порядка. H,T-фазовая диаграмма {rm Sm0.55Sr0.45MnO3} убедительно свидетельствует о существовании в {rm Sm0.55Sr0.45MnO3} трикритической точки при 4 Тл, в которой нивелируется различие между ферромагнитной и парамагнитной фазами {rm Sm0.55Sr0.45MnO3}.