Найдено научных статей и публикаций: 173
91.
Сферическое P-спиновое стекло при $Ptoinfty$ и хранение информации посредством непрерывных спинов
Саакян Д.Б.. Сферическое P-спиновое стекло при $Ptoinfty$ и хранение информации посредством непрерывных спинов // Письма в ЖЭТФ, том 64, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
92.
Отсутствие возвратного фазового перехода "ферромагнетик - спиновое стекло" в квазидвумерных ферромагнитных системах с конкурирующими обменными взаимодействиями
Такзей Г.А., Гребенюк Ю.П., Куликов Л.М., Сыч И.И.. Отсутствие возвратного фазового перехода "ферромагнетик - спиновое стекло" в квазидвумерных ферромагнитных системах с конкурирующими обменными взаимодействиями // Письма в ЖЭТФ, том 65, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru
93.
Фазовый переход нематик-нематическое стекло в порах
Кац Б. И.. Фазовый переход нематик-нематическое стекло в порах // Письма в ЖЭТФ, том 65, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru
94.
Размерные эффекты в температурах плавления и кристаллизации нанокристаллов хлорида меди в стекле
Валов П.М., Лейман В.И.. Размерные эффекты в температурах плавления и кристаллизации нанокристаллов хлорида меди в стекле // Письма в ЖЭТФ, том 66, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru
95.
Светоэлектрическая неустойчивость в оксидном стекле
Балакирев М.К., Вострикова Л.И., Смирнов В.А.. Светоэлектрическая неустойчивость в оксидном стекле // Письма в ЖЭТФ, том 66, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru
96.
Об акустической природе микроволнового эха в силикатных стеклахоб акустической природе микроволнового эха в силикатных стеклах
Смоляков Б.П., Соловаров Н.К.. Об акустической природе микроволнового эха в силикатных стеклахОб акустической природе микроволнового эха в силикатных стеклах // Письма в ЖЭТФ, том 68, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru
97.
Бесфононная теплопроводность в стеклах при ультранизких температурах
Каган Ю., Максимов Л.А., Полищук И.Я.. Бесфононная теплопроводность в стеклах при ультранизких температурах // Письма в ЖЭТФ, том 71, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru
98.
Кинетика фотоиндуцированной оптической анизотропии воксидном стекле
Долгоживущая оптическая анизотропия, порождаемая в стеклах бихроматическим взаимнокогерентным излучением, связана с накоплением встроенного электрического поля. В рамках феноменологической модели, учитывающей поляризационный и токовый механизмы образования поля и проводимость среды, исследована кинетика фотоиндуцированной анизотропии. Комбинация токового и поляризационного механизмов приводит к новым эффектам. Процессы накопления и темновой релаксации анизотропии имеют немонотонный характер. При достаточно большой и быстрорелаксирующей фотопроводимости возможна ``скрытая запись'', при которой в течение бихроматического освещения анизотропия отсутствует, но после выключения света она возникает и медленно релаксирует за счет темновой проводимости.
99.
Оптическое усиление фотоиндуцированных решеток поляризуемости в фосфатном стекле
Показано, что решетки поляризуемости второго порядка, предварительно записанные бихроматическим светом в фосфатном стекле, могут быть усилены при воздействии на них монохроматического излучения. Усиление возникает вне зависимости от поляризации и направления распространения усиливающего света и для различных длин волн. Явление связывается с асимметрией оптических переходов между локальными центрами в изотропной среде в присутствии электрического поля. Теоретически показано, что в системе возможно образование чередующихся доменов электрического поля, размер которых зависит от амплитуды решетки.
100.
Диэлектрические и магнитные свойства мультиферроика Tb(1-x)BixMnObf3:электродипольное стекло, самоорганизация локализованных носителей заряда
Выращены и исследованы монокристаллы нового мультиферроика Tb(1-x)BixMnO3. Наиболее подробно изучено полупроводниковое соединение с x = 0.05. При температурах Tgeq 165 K в кристалле реализуется состояние электродипольного стекла. Локализованные носители заряда образуют проводящие капли электронов и дырок, которые располагаются преимущественно в тонких слоях на границах полярных областей. При ``испарении' капель с ростом температуры наблюдаются скачки проводимости и емкости. Состояние капель управляется малым напряжением смещения. Дальний магнитный порядок возникает при температурах Tleq 90 K. При температурах существования локализованных носителей заряда наблюдается отрицательное магнитосопротивление.